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CYD18S72V-133BBXC

产品描述Dual-Port SRAM, 256KX72, 5ns, CMOS, PBGA484, 23 X 23 MM, 1.60 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, LEAD FREE, MO-192, FBGA-484
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文件大小677KB,共25页
制造商Cypress(赛普拉斯)
标准  
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CYD18S72V-133BBXC概述

Dual-Port SRAM, 256KX72, 5ns, CMOS, PBGA484, 23 X 23 MM, 1.60 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, LEAD FREE, MO-192, FBGA-484

CYD18S72V-133BBXC规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码BGA
包装说明BGA, BGA484,22X22,40
针数484
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间5 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PBGA-B484
JESD-609代码e1
长度23 mm
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度72
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量484
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX72
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA484,22X22,40
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.9 mm
最大待机电流0.075 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.58 mA
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度23 mm

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