SFF250ZDBS,SFF250ZDBS pdf中文资料,SFF250ZDBS引脚图,SFF250ZDBS电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SFF250ZDBS

SFF250ZDBS: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254, HERMETIC SEALED, TO-254Z, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小116KB，共3页; 制造商SSDI; 官网地址http://www.ssdi-power.com/

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SFF250ZDBS概述

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254, HERMETIC SEALED, TO-254Z, 3 PIN

SFF250ZDBS规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SSDI
零件包装代码	TO-254
包装说明	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V
最大漏极电流 (ID)	30 A
最大漏源导通电阻	0.085 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-254
JESD-30 代码	S-XSFM-P3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	125 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	PIN/PEG
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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