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S71PL129JC0BAI9Z0

产品描述Memory Circuit, Flash+PSRAM, CMOS, PBGA64
产品类别存储    存储   
文件大小4MB,共149页
制造商AMD(超微)
官网地址http://www.amd.com
标准
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S71PL129JC0BAI9Z0概述

Memory Circuit, Flash+PSRAM, CMOS, PBGA64

S71PL129JC0BAI9Z0规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称AMD(超微)
包装说明FBGA, BGA64,10X12,32
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间70 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B64
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
混合内存类型FLASH+PSRAM
端子数量64
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA64,10X12,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
电源3/3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.07 mA
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM

S71PL129JC0BAI9Z0相似产品对比

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描述 Memory Circuit, Flash+PSRAM, CMOS, PBGA64 Memory Circuit, Flash+PSRAM, CMOS, PBGA64 Memory Circuit, Flash+PSRAM, CMOS, PBGA64 Memory Circuit, Flash+PSRAM, CMOS, PBGA64
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
包装说明 FBGA, BGA64,10X12,32 FBGA, BGA64,10X12,32 FBGA, BGA64,10X12,32 FBGA, BGA64,10X12,32
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
最长访问时间 70 ns 70 ns 70 ns 70 ns
JESD-30 代码 R-PBGA-B64 R-PBGA-B64 R-PBGA-B64 R-PBGA-B64
内存集成电路类型 MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT
混合内存类型 FLASH+PSRAM FLASH+PSRAM FLASH+PSRAM FLASH+PSRAM
端子数量 64 64 64 64
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -25 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 FBGA FBGA FBGA FBGA
封装等效代码 BGA64,10X12,32 BGA64,10X12,32 BGA64,10X12,32 BGA64,10X12,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH
电源 3/3.3 V 3/3.3 V 3/3.3 V 3/3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.000005 A 0.000005 A 0.000005 A 0.000005 A
最大压摆率 0.07 mA 0.07 mA 0.07 mA 0.07 mA
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL OTHER
端子形式 BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
厂商名称 AMD(超微) - AMD(超微) AMD(超微)
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