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FHFCX593

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-89, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小92KB,共2页
制造商Fenghua (HK) Electronics Ltd
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FHFCX593概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-89, 3 PIN

FHFCX593规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fenghua (HK) Electronics Ltd
零件包装代码SOT-89
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JESD-30 代码R-PSSO-F3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz

FHFCX593文档预览

PNP
PNP Medium Power Transistor
PNP Medium Power Transistor
PNP
FHFCX593
SOT-89
DESCRIPTION & FEATURES
概述及特點
Medium Power Amplifier
中等功率放大
Complement to FHFCX493
PIN ASSIGNMENT
引腳說明
PIN NAME
FUNCTION
PIN NUMBER
引腳序號
管腳符號
功½
SOT-89
B
1
BASE
C
2
COLLECTOR
E
3
EMITTER
MAXIMUM RATINGS(T
a
=25℃)
最大額定值
CHARACTERISTIC
特性參數
Symbol
符號
Rating
額定值
Collector-Emitter Voltage
集電極-發射極電壓
-100
V
CEO
Collector-Base Voltage
集電極-基極電壓
V
CBO
-120
Emitter-Base Voltage
發射極-基極電壓
-5.0
V
EBO
Collector Current-Continuous
集電極電流-連續
-1.0
I
C
Base Current
基級電流
-200
I
B
THERMAL CHARACTERISTICS
熱特性
CHARACTERISTIC
特性參數
Symbol
符號
Max
最大值
Power Dissipation
耗散功率
P
tot
1
Operating and Storage Temperature Range儲存溫度
-65 ~150
T
J
:T
stg
DEVICE MARKING
打標
FHFCX593=P93(100~300)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
電特性
(T
A
=25℃ unless otherwise noted
如無特殊說明,溫度為
25℃)
Symbol
Test Condition
Min
Type
Characteristic
特性參數
符號
測試條件
最小值 典型值
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Unit
單½
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
mAdc
Unit
單½
W
Max
最大值
-100
-100
-100
300
Unit
單½
V
V
V
nA
nA
集電極-發射極擊穿電壓
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
h
FE1
I
C
=-10mA,
I
C
=-100µA
I
E
=-100µA
V
CB
=-100V
V
CE
=-100V
V
EB
=-4V, I
C
=0
V
CE
=-5V,I
C
=-1mA
V
CE
=-5 V,I
C
=-250mA
V
CE
=-5V,I
C
=-500mA
V
CE
=-5V, I
C
=-1.0A
-100
-120
-5.0
100
100
100
50
集電極-基極擊穿電壓
Emitter-Base Breakdown Voltage
發射極-基極擊穿電壓
Collector Cutoff Current
集電極截止電流
Emitter Cutoff Current
發射極截止電流
DC Current Gain
直流電流增益
h
FE2
h
FE3
h
FE4
1
PNP
PNP Medium Power Transistor
PNP Medium Power Transistor
Characteristic
特性參數
Collector-Emitter Saturation Voltage
PNP
Test Condition
測試條件
I
C
=-250mA,I
B
=-25mA
Min
最小值
FHFCX593
Type
典型值
Max
最大值
-200
-300
-1.1
-1.0
50
5
Unit
單½
mV
mV
V
V
MH
Z
pF
Symbol
符號
V
CE
sat
集電極-發射極½和壓降
Base-Emitter Saturation Voltage
I
C
=-500mA,I
B
=-50mA
V
BE(sat)
V
BE(on)
f
T
C
Ob
I
C
=-500mA,I
B
=-50mA
I
C
=-1A,V
CE
=-5V
V
CE
=-10V,I
E
=-50mA,
f=100MHZ
V
CB
=-10V,f=1MHZ
基極-發射極½和壓降
Base-Emitter Turn on Voltage
基極-發射極開啟電壓
Transition Frequency
特徵頻率
Collect Output Capacitance
輸出電容
2

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