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K4S283233F-HL1L0

产品描述Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, LEAD FREE, FBGA-90
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文件大小141KB,共12页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
标准
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K4S283233F-HL1L0概述

Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, LEAD FREE, FBGA-90

K4S283233F-HL1L0规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA,
针数90
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B90
长度13 mm
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度32
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量1
端子数量90
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度-25 °C
组织4MX32
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度8 mm
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[size=6]例程已经在板子上跑过了,附带详细解释[/size][table=412][tr][td=128][align=RIGHT][font=Times New Roman][color=#000000]syn_cnter_4.qpf[/color][/font][/align][/td][td=284][align=RIGHT][color=#000000][font=Times New...
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