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SST32HF164-70-4E-TBK

产品描述Memory Circuit, Flash+SRAM, 1MX16, CMOS, PBGA48, 10 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, TBGA-48
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文件大小320KB,共28页
制造商Silicon Laboratories Inc
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SST32HF164-70-4E-TBK概述

Memory Circuit, Flash+SRAM, 1MX16, CMOS, PBGA48, 10 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, TBGA-48

SST32HF164-70-4E-TBK规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Silicon Laboratories Inc
零件包装代码BGA
包装说明10 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, TBGA-48
针数48
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间70 ns
其他特性ALSO CONTAINS 256K X 16 SRAM
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e0
长度12 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度16
混合内存类型FLASH+SRAM
功能数量1
端子数量48
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-20 °C
组织1MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装等效代码BGA48,6X8,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)240
电源3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.00003 A
最大压摆率0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)3.3 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间10
宽度10 mm
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