Non-Volatile SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-28
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | 0.330 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-28 |
针数 | 28 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 25 ns |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G28 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 18.3895 mm |
内存密度 | 65536 bit |
内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM |
内存宽度 | 8 |
湿度敏感等级 | 3 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 28 |
字数 | 8192 words |
字数代码 | 8000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 8KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP28,.45 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 2.794 mm |
最大待机电流 | 0.0015 A |
最大压摆率 | 0.09 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 8.6865 mm |
STK11C68-SF25TR | STK11C68-C45 | STK11C68-SF35 | STK11C68-L45I | |
---|---|---|---|---|
描述 | Non-Volatile SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-28 | Non-Volatile SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, MO-058, DIP-28 | Non-Volatile SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-28 | Non-Volatile SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CQCC28, 0.350 INCH, CERAMIC, MO-041, LCC-28 |
是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 | 符合 | 不符合 |
厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) |
零件包装代码 | SOIC | DIP | SOIC | QLCC |
包装说明 | 0.330 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-28 | 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, MO-058, DIP-28 | 0.330 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-28 | 0.350 INCH, CERAMIC, MO-041, LCC-28 |
针数 | 28 | 28 | 28 | 28 |
Reach Compliance Code | unknown | not_compliant | unknown | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最长访问时间 | 25 ns | 45 ns | 35 ns | 45 ns |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G28 | R-CDIP-T28 | R-PDSO-G28 | R-CQCC-N28 |
JESD-609代码 | e3 | e4 | e3 | e0 |
长度 | 18.3895 mm | 35.56 mm | 18.3895 mm | 13.97 mm |
内存密度 | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bit |
内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM | NON-VOLATILE SRAM | NON-VOLATILE SRAM | NON-VOLATILE SRAM |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
湿度敏感等级 | 3 | 1 | 3 | 1 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 28 | 28 | 28 | 28 |
字数 | 8192 words | 8192 words | 8192 words | 8192 words |
字数代码 | 8000 | 8000 | 8000 | 8000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 85 °C |
组织 | 8KX8 | 8KX8 | 8KX8 | 8KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | SOP | DIP | SOP | QCCN |
封装等效代码 | SOP28,.45 | DIP28,.3 | SOP28,.5 | LCC28,.35X.55 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | IN-LINE | SMALL OUTLINE | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | NOT SPECIFIED | 260 | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 2.794 mm | 4.11 mm | 2.794 mm | 2.29 mm |
最大待机电流 | 0.0015 A | 0.00075 A | 0.00075 A | 0.021 A |
最大压摆率 | 0.09 mA | 0.065 mA | 0.075 mA | 0.065 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | NO | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL |
端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE | GULL WING | NO LEAD |
端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
宽度 | 8.6865 mm | 7.62 mm | 8.6865 mm | 8.89 mm |
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