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TMS44100P-80DGB

产品描述IC 4M X 1 FAST PAGE DRAM, 80 ns, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP-26/20, Dynamic RAM
产品类别存储    存储   
文件大小380KB,共25页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数

TMS44100P-80DGB概述

IC 4M X 1 FAST PAGE DRAM, 80 ns, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP-26/20, Dynamic RAM

TMS44100P-80DGB规格参数

参数名称属性值
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码TSOP
包装说明TSOP2-R,
针数20
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间80 ns
其他特性RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN; SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-G20
长度17.14 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量20
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX1
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2-R
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度7.62 mm
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