Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> 5962-R1020304VXC

文档预览

5962-R1020304VXC: 产品描述2MX32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, CQFP132, 0.900 INCH, CERAMIC, SIDE BRAZED, QFP-132; 产品类别存储存储; 文件大小217KB，共27页; 制造商Cobham Semiconductor Solutions

下载文档详细参数选型对比全文预览

5962-R1020304VXC概述

2MX32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, CQFP132, 0.900 INCH, CERAMIC, SIDE BRAZED, QFP-132

5962-R1020304VXC规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Cobham Semiconductor Solutions
零件包装代码	QFP
包装说明	QFP,
针数	132
Reach Compliance Code	unknown
JESD-30 代码	S-CQFP-G132
JESD-609代码	e4
长度	22.86 mm
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE
内存宽度	32
功能数量	1
端子数量	132
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	105 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	2MX32
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QFP
封装形状	SQUARE
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883 Class V
座面最大高度	7.87 mm
最大供电电压 (Vsup)	2 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.85 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	GOLD
端子形式	GULL WING
端子节距	0.635 mm
端子位置	QUAD
宽度	22.86 mm

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

Standard Products

UT8ER1M32 32Megabit SRAM MCM

UT8ER2M32 64Megabit SRAM MCM

UT8ER4M32 128Megabit SRAM MCM

Preliminary Data Sheet

June 8, 2011

www.aeroflex.com/memories

FEATURES



20ns Read, 10ns Write maximum access times available



Functionally compatible with traditional 1M, 2M and 4M

x 32 SRAM devices



CMOS compatible input and output levels, three-state

bidirectional data bus

- I/O Voltages 2.3V to 3.6V, 1.7V to 2.0Vcore



Available densities:

- UT8ER1M32: 33, 554, 432 bits

- UT8ER2M32: 67, 108, 864 bits

- UT8ER4M32: 134, 217, 728 bits



Operational environment:

- Total-dose: 100 krad(Si)

- SEL Immune: 111MeV-cm

/mg

- SEU error rate = 6.0x10

-16

errors/bit-day assuming

geosynchronous orbit, Adam’s 90% worst environment,

and 6600ns default Scrub Rate Period (=97% SRAM

availability)



Packaging option:

- 132-lead side-brazed dual cavity ceramic quad flatpack



Standard Microelectronics Drawing:

- UT8ER1M32: 5962-10202

- QML Q, Q+ and Vcompliant

- UT8ER2M32: 5962-10203

- QML Q, Q+ and V pending

- UT8ER4M32: 5962-10204

- QML Q, Q+ and V pending

INTRODUCTION

The UT8ER1M32, UT8ER2M32, and UT8ER4M32 are high

performance CMOS static RAM multichip modules (MCMs)

organized as two, four or eight individual 524,288 words x 32

bits respectively. Easy memory expansion is provided by active

LOW chip enables (En), an active LOW output enable (G), and

three-state drivers. This device has a power-down feature that

reduces power consumption by more than 90% when deselected.

Autonomous (master) and demanded (slave) scrubbing

continues while deselected.

Writing to the device is accomplished by driving one of the chip

enable (En) inputs LOW and the write enable (W) input LOW.

Data on the 32 I/O pins (DQ0 through DQ31) is then written into

the location specified on the address pins (A0 through A18).

Reading from the device is accomplished by driving one of the

chip enables (En) and output enable (G) LOW while driving

write enable (W) HIGH. Under these conditions, the contents of

the memory location specified by the address pins will appear

on the I/O pins.

Note:

Only on En pin may be active at any time.

The 32 input/output pins (DQ0 through DQ31) are placed in a

high impedance state when the device is deselected (En HIGH),

the outputs are disabled (G HIGH), or during a write operation

(En LOW, W LOW).

A[18:0]

512Kx32

(Master or Slave)

Die 1

DQ[31:0]

512Kx32

(Slave)

Die 2, 4, or 8

MBE

BUSY/NC

SCRUB

Figure 1. Block Diagram

5962-R1020304VXC相似产品对比

	5962-R1020304VXC	5962-R1020404VXC	5962-R1020403VXC	5962-R1020401VXC	5962-R1020302VXC	5962-R1020301VXC	5962-R1020303VXC	5962-R1020402VXC
描述	2MX32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, CQFP132, 0.900 INCH, CERAMIC, SIDE BRAZED, QFP-132	4MX32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, CQFP132, 0.900 INCH, CERAMIC, SIDE BRAZED, QFP-132	4MX32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, CQFP132, 0.900 INCH, CERAMIC, SIDE BRAZED, QFP-132	4MX32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, CQFP132, 0.900 INCH, CERAMIC, SIDE BRAZED, QFP-132	2MX32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, CQFP132, 0.900 INCH, CERAMIC, SIDE BRAZED, QFP-132	2MX32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, CQFP132, 0.900 INCH, CERAMIC, SIDE BRAZED, QFP-132	2MX32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, CQFP132, 0.900 INCH, CERAMIC, SIDE BRAZED, QFP-132	4MX32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, CQFP132, 0.900 INCH, CERAMIC, SIDE BRAZED, QFP-132
零件包装代码	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP
包装说明	QFP,	QFP,	QFP,	QFP,	QFP,	QFP,	0.900 INCH, CERAMIC, SIDE BRAZED, QFP-132	0.900 INCH, CERAMIC, SIDE BRAZED, QFP-132
针数	132	132	132	132	132	132	132	132
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
JESD-30 代码	S-CQFP-G132	S-CQFP-G132	S-CQFP-G132	S-CQFP-G132	S-CQFP-G132	S-CQFP-G132	S-CQFP-G132	S-CQFP-G132
JESD-609代码	e4	e4	e4	e4	e4	e4	e4	e4
长度	22.86 mm	22.86 mm	22.86 mm	22.86 mm	22.86 mm	22.86 mm	22.86 mm	22.86 mm
内存密度	67108864 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	134217728 bi
内存集成电路类型	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE
内存宽度	32	32	32	32	32	32	32	32
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	132	132	132	132	132	132	132	132
字数	2097152 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words	4194304 words
字数代码	2000000	4000000	4000000	4000000	2000000	2000000	2000000	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	105 °C	105 °C	105 °C	105 °C	105 °C	105 °C	105 °C	105 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	2MX32	4MX32	4MX32	4MX32	2MX32	2MX32	2MX32	4MX32
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883 Class V	MIL-STD-883 Class V	MIL-STD-883 Class V	MIL-STD-883 Class V	MIL-STD-883 Class V	MIL-STD-883 Class V	MIL-STD-883 Class V	MIL-STD-883 Class V
座面最大高度	7.87 mm	7.87 mm	7.87 mm	7.87 mm	7.87 mm	7.87 mm	7.87 mm	7.87 mm
最大供电电压 (Vsup)	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.85 V	1.85 V	1.85 V	1.85 V	1.85 V	1.85 V	1.85 V	1.85 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER
端子面层	GOLD	GOLD	GOLD	GOLD	GOLD	GOLD	GOLD	GOLD
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.635 mm	0.635 mm	0.635 mm	0.635 mm	0.635 mm	0.635 mm	0.635 mm	0.635 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
宽度	22.86 mm	22.86 mm	22.86 mm	22.86 mm	22.86 mm	22.86 mm	22.86 mm	22.86 mm
厂商名称	Cobham Semiconductor Solutions	Cobham Semiconductor Solutions	-	Cobham Semiconductor Solutions	Cobham Semiconductor Solutions	Cobham Semiconductor Solutions	Cobham Semiconductor Solutions	Cobham Semiconductor Solutions
Base Number Matches	-	1	1	1	1	1	-	-

推荐资源

再次升级HTS221的mpy驱动: 新增加了电源控制命令，可以读取电源状态，设置电源开关以降低功耗。同时也修正了初始化中的一个错误。新的驱动程序已经上传到github上，为了避免重复，就不把代码贴出来了，大家可以在 ......; dcexpert ST传感器与低功耗无线技术论坛

真优美: 这两天看电视，记下的： 94725...; dontium 聊聊、笑笑、闹闹

在Q II环境下出现了如下警告，请教解决办法: 在Q II环境下出现了如下警告，请教高人给予指点解决办法： ---------------------------------------------------------------------- 1. Warning: Found 6 output pins without output pin l ......; fangliball FPGA/CPLD

请教三极管驱动LED和专业IC驱动LED区别: 最近需要做一个模块：供电电压为3.3v,驱动大概6串的LED（一串上挂4颗LED，电流想控制在600ma以内，可以使用多片ic或三极管）. 所以想请教一下，使用三极管和专业IC控制LED的一些区别，哪一 ......; HALO--117 LED专区

SWIM引脚是用来给STM8单片机下载程序的: 什么是SWIMSWIM的全称是：Serial Wire Interface Module，即单总线接口模块。ST意法半导体的单片机中STM32支持串口下载程序、JLINK接口、SWD等接口。STM8用SWIM来下载程序。SWIM只需要一根线 ......; 电子_精灵 stm32/stm8

时序仿真过了，为什么实际的电路就是出现了一些错误: 用CPLD实现一个辨向、4细分、计数的电路。用时序仿真的时候，仿真的结果都是非常正确的。在实际电路的时候发现出现5%的计数误差。老师说在触发脉冲上升沿的时候，有可能计数脉冲跑 ......; eeleader FPGA/CPLD

STM32F4编程手册学习2_内存模型

1. 内存映射 MCU将资源映射到一段固定的4GB可寻址内存上，如下图所示。内存映射将内存分为几块区域，每一块区域都有一个定义的内存类型，一些区域还有一些附加的内存类型。内存类型有以下几种： Normal 处理器可以为了性能而对访问该区域的任务进行重排序。 Device 处理器保证访问该内存的任务与其他访问Device或者Stronly-ordered内存的任务相对顺序不变。 Str...[详细]
保养焊炉，保证质量：回流焊炉膛清理的必要性与方法

回流焊是电子组装生产中的关键工艺之一，而回流焊炉膛的清洁程度对产品的质量具有直接影响。炉膛内的积灰和残留物可能导致不良焊接或短路等问题。因此，定期清理回流焊炉膛是保证生产质量和效率的必要步骤。本文将介绍回流焊炉膛的清理方法。首先，进行安全检查。在清理之前，一定要关闭并断开回流焊炉的电源，以防止意外触电。同时，确保炉膛内温度降至安全范围，以防烫伤。接下来，先进行粗清洁。使用刮刀或金属刷...[详细]
导轨回流焊与普通回流焊：为生产效率和质量选择最佳焊接方式

回流焊作为现代电子制造中常见的一种焊接方法，其主要目的是将焊盘、元件引脚和焊膏熔化，形成焊接点。随着技术的发展，焊接设备也在不断升级改良，其中就包括了导轨回流焊和普通回流焊。这两种方法各有优点，也存在各自的局限，所以说哪种更好并不是一个简单的问题，需要从多个角度进行评估。首先，我们来了解一下导轨回流焊。导轨回流焊机是在普通回流焊机的基础上，增加了导轨系统，使得焊接过程更为自动化，通常可以提...[详细]
汽车网络安全破局之战：CyberMan 赋能信息安全高效开发与未来升级

随着科技的飞速发展，汽车智能化正在以前所未有的速度提升，这不仅增强了汽车的功能性和舒适性，同时也对网络安全提出了更高的要求。汽车智能化的提升，直接带动了网络安全需求的增长，传统依赖Excel、邮件流转与碎片化工具的网络安全流程已不堪重负。面对ISO/SAE 21434，UN R155/R156等全球性法规强制合规压力与日益复杂的攻击面，行业正陷入“合规成本激增、专业人才缺口扩大”的双...[详细]
『新品发布』共模半导体重磅发布高效率小尺寸降压电源模块GM6506系列产品

共模半导体正式发布其最新一代电源管理芯片—GM6506系列，这是一个完全集成的高频同步整流降压电源模块，内部集成了电感和多个关键器件，简化了电路设计。这款芯片凭借其卓越的性能、低功耗设计以及广泛的应用场景，为各种高要求的电源应用提供了理想的解决方案。无论是光通信、服务器、电信，还是工业及自动化测试领域，GM6506都能满足高效、稳定电源需求。一产品介绍 GM6506 是一个非...[详细]
智元机器人明年预计出货量将达数万台，发布最新产品灵犀 X2-W

8 月 21 日消息，智元机器人在其首届合作伙伴大会上透露，今年出货量预计可达数千台，明年预计会有数万台的出货。未来几年，该公司希望每年出货量可达到数十万台。智元机器人还发布了最新产品灵犀 X2-W，这是一款基于 X2 平台衍生，针对“作业智能”开发的轮式双臂机器人原型。同时，智元启动了首个专注具身智能产业链的创业加速计划——“智元 A 计划”，旨在孵化 50+ 高潜力早期项目，在三年内打造千亿...[详细]
STM32必学的时钟系统

相较于51单片机，stm32的时钟系统可以说是非常复杂了，我们现在看下面的一张图：上图说明了时钟的走向，是从左至右的从时钟源一步步的分配给外设时钟。需要注意的是，上图左侧一共有四个时钟源，从上到下依次是：高速内部时钟（HSI）：以内部RC振荡器产生，频率为8Mhz,但相较于外部时钟不稳定。高速内部时钟（HSE）：以外部晶振作为时钟源，晶振频率可取范围为4~16Mhz,一般采用8Mhz的...[详细]
一种新型的电气火灾监控报警系统应用探讨

引言　　据《中国火灾统计年鉴》显示，近十年的火灾事故中，电气火灾所占比例在30%以上，且呈逐年上升的趋势，已成为火灾的主要致灾因素，引起巨大的人财物损失。电气火灾产生的主要原因有短路、过载、接触电阻过大、静电等，其中接地性电弧短路是最危险也多发的电气火灾成因，主要是由于故障点接触不良，未被熔融而迸发出电或者电火花。而且发生电弧性短路的故障点阻抗较大，它的短路电流并不大(略大于300mA的电流...[详细]
利用麦克风数组抑制背景噪声

　　概述　　随着手持语音通信设备越来越流行，它们应用在嘈吵环境的机会也越来越高，例如机场、交通繁忙的路段、人多嘈杂的酒吧等。在这种嘈吵的环境下，通话的双方实在难以听清对方所说的话。　　此外，不少通信系统都是采用计算机运行的语音识别、指令及/或响应系统，这些系统均易受到背景噪声的影响，假如噪声过大，便会导致系统出现很大的偏差。因此，有必要改善语音信号对背景声音噪声的比率。　　本文将解释利用麦...[详细]
电动汽车有辐射，长期驾驶会致癌？

随着我国电动汽车的高速发展，人们也开始关注到电动汽车的辐射问题，我们都知道手机是有辐射的，那么比手机电池大几十倍的电动车是否辐射更大？会不会对人体造成伤害呢？今天我们就来聊聊有关辐射的那些事儿。现如今，只要我们还活着就无法避免辐射，像太阳光、电脑、手机、微波炉、wifi等都会产生一定量的辐射。只要温度在绝对零度以上，都会以电磁波或者是粒子的形式对外输送热量，这种方式就叫做辐射，但是根据其能...[详细]
电动汽车是利用发动机来实现12V车载供电吗

电动汽车的12V蓄电池供电并不是依靠发电机，只有燃油动力汽车才会依靠发动机带动发电机在行驶中发电，其作用是为12V车载设备供电；用这种发电即时供电的原因是因为12V蓄电池的容量太小，而且不能依靠外接设备充电。而电动汽车有一组动辄50kwh左右的动力电池组，其容量是燃油动力汽车电池的50~100倍甚至更高，车载12V电子设备的耗电量与容量相比小到几乎可以忽略；而动力电池组可依靠220市电充电，所以...[详细]
英特尔携手亚马逊云科技，打造云服务新引擎

英特尔 ® 至强 ® 6性能核处理器现已支持亚马逊云科技（AWS）上全新推出的亚马逊EC2 R8i和R8i-flex实例。与基于英特尔处理器的其他云实例相比，这两款新实例能为用户提供更卓越的性能和更快的内存带宽。基于英特尔至强6处理器的亚马逊第八代EC2实例正式发布，在云端为客户提供卓越的性能与更高的内存带宽这两款新实例不仅是英特尔与AWS多年深度合作的丰硕成果，也充分展现了双方正...[详细]
VSCode STM32跨平台开发环境搭建

VSCode的强大不用多说了,直接上教程: 一.到官网下载安装VSCode 二.安装完成后,打开VSCode,安装PlatformIO IDE 插件三.安装完重启VSCode,VSCode会继续安装PlatformIO IDE的依赖项,如果提示一直在安装,可以尝试用VPN瞧瞧,是不是被墙了不知道,我用VPN很快环境就安装好了四.新建工程 STM32F103C8为例,使用...[详细]
STM32 Keil C++编写单片机程序

C++ 属于面向对象的编程语言，OOP的思想不必多说，特别对于复杂的软件工程来说，利用OOP绝对是事半功倍，相对于传统的C来说；当然用C来写单片机程序无可厚非，已经延续了一个传统，从大学时学的开始到工作岗位，好多人都是一直用C来做，但是既然Keil支持C++编译，可以用C++来编写你的代码，可以利用高级语言来结构化，清晰化你的程序，为嘛不用呢！哈哈，个人看法！下面进入正题： C+...[详细]
电动汽车的轻量化可从哪些途径来实现

汽车轻量化对于汽车来说还是一个比较陌生的一个词汇，随着对环保要求的不断提高，相关法规对于车辆更低油耗也提出了更高的标准，轻量化成为了汽车降低油耗和电动汽车增加续航里程的一种途径，根据目前市面上大多数轻量化设计的车型来看，在不涉及到安全的问题的情况下面，轻量化可以从车身的材料上面，和车辆的结构设计上面去进行实现，车辆的轻量化也是必然的趋势。对于车身材料而言，就更加的要进行着重的考虑了，首先不...[详细]

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多