OP-AMP, 700uV OFFSET-MAX, 1.9MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERAMIC, DIP-8
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0005 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.0005 µA |
最小共模抑制比 | 85 dB |
标称共模抑制比 | 115 dB |
频率补偿 | YES |
最大输入失调电压 | 700 µV |
JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 |
长度 | 9.58 mm |
低-偏置 | YES |
低-失调 | YES |
负供电电压上限 | -8 V |
标称负供电电压 (Vsup) | -5 V |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | +-2.3/+-8/4.6/16 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.08 mm |
最小摆率 | 1.3 V/us |
标称压摆率 | 2.7 V/us |
最大压摆率 | 1.5 mA |
供电电压上限 | 8 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
标称均一增益带宽 | 1900 kHz |
最小电压增益 | 45000 |
宽度 | 7.62 mm |
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