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M5M44101J-8

产品描述Nibble Mode DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.350 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
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文件大小529KB,共18页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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M5M44101J-8概述

Nibble Mode DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.350 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20

M5M44101J-8规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ, SOJ20/26,.4
针数20
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式NIBBLE
最长访问时间80 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDSO-J20
JESD-609代码e0
长度17.15 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型NIBBLE MODE DRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量20
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ20/26,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
座面最大高度3.65 mm
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.095 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度8.9 mm

M5M44101J-8相似产品对比

M5M44101J-8 M5M44101J-10 M5M44101L-8 M5M44101L-10
描述 Nibble Mode DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.350 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 Nibble Mode DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.350 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 Nibble Mode DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PZIP20, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-20 Nibble Mode DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PZIP20, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-20
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码 SOJ SOJ ZIP ZIP
包装说明 SOJ, SOJ20/26,.4 SOJ, SOJ20/26,.4 ZIP, ZIP20,.1 ZIP, ZIP20,.1
针数 20 20 20 20
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 NIBBLE NIBBLE NIBBLE NIBBLE
最长访问时间 80 ns 100 ns 80 ns 100 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-PDSO-J20 R-PDSO-J20 R-PZIP-T20 R-PZIP-T20
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM NIBBLE MODE DRAM
内存宽度 1 1 1 1
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 20 20 20 20
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX1 4MX1 4MX1 4MX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ ZIP ZIP
封装等效代码 SOJ20/26,.4 SOJ20/26,.4 ZIP20,.1 ZIP20,.1
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 1024 1024 1024 1024
座面最大高度 3.65 mm 3.65 mm 10.16 mm 10.16 mm
最大待机电流 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A
最大压摆率 0.095 mA 0.085 mA 0.095 mA 0.085 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND J BEND THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL ZIG-ZAG ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 8.9 mm 8.9 mm 2.8 mm 2.8 mm
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