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S72NS256RD0AHBG40: 产品描述Memory Circuit, Flash+SDRAM, 16MX16, CMOS, PBGA133, 8 X 8 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-133; 产品类别存储存储; 文件大小619KB，共13页; 制造商Cypress(赛普拉斯); 标准

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S72NS256RD0AHBG40概述

Memory Circuit, Flash+SDRAM, 16MX16, CMOS, PBGA133, 8 X 8 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-133

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)
包装说明	8 X 8 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-133
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	DRAM IS ORGANISED AS 8M X 16
JESD-30 代码	S-PBGA-B133
长度	8 mm
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	16
混合内存类型	FLASH+SDRAM
功能数量	1
端子数量	133
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-25 °C
组织	16MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA
封装等效代码	BGA133,14X14,20
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	BALL
端子节距	0.5 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	8 mm

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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