P4C164L-45DWM,P4C164L-45DWM pdf中文资料,P4C164L-45DWM引脚图,P4C164L-45DWM电路-Datasheet-电子工程世界

P4C164L-45DWM: 产品描述Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28; 产品类别存储存储; 文件大小81KB，共8页; 制造商Pyramid Semiconductor Corporation; 官网地址http://www.pyramidsemiconductor.com/

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P4C164L-45DWM概述

Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Pyramid Semiconductor Corporation
零件包装代码	DIP
包装说明	0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28
针数	28
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	45 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-CDIP-T28
JESD-609代码	e0
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	28
字数	8192 words
字数代码	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	8KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP28,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm
最大待机电流	0.0002 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.145 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	15.24 mm

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