电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

RN2422(TE85L)

产品描述TRANSISTOR 800 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, SC-59, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小549KB,共8页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

RN2422(TE85L)概述

TRANSISTOR 800 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, SC-59, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

RN2422(TE85L)规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
零件包装代码SC-59
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)0.8 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)65
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz

文档预览

下载PDF文档
RN2421~RN2427
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
RN2421,RN2422,RN2423,RN2424
RN2425,RN2426,RN2427
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
and Driver Circuit Applications
High current type (I
C(MAX)
=
−800mA)
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Low V
CE (sat)
Complementary to RN1421~RN1427
Unit: mm
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
Type No.
RN2421
RN2422
RN2423
RN2424
RN2425
RN2426
RN2427
R1 (kΩ)
1
2.2
4.7
10
0.47
1
2.2
R2 (kΩ)
1
2.2
4.7
10
10
10
10
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
SC-59
2-3F1A
Weight: 0.012 g (typ.)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-Base voltage
Collector-Emitter voltage
RN2421~2427
RN2421~2424
Emitter-Base voltage
RN2425, 2426
RN2427
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN2421~2427
I
c
P
c
T
j
T
stg
V
EBO
Symbol
V
CBO
V
CEO
Rating
−50
−50
−10
−5
−6
−800
200
150
−55~150
mA
mW
°C
°C
V
Unit
V
V
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
1
2007-11-01

RN2422(TE85L)相似产品对比

RN2422(TE85L) RN2422(TE85R) RN2422(TE85R2) RN2422(TE85L2)
描述 TRANSISTOR 800 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, SC-59, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 800 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, SC-59, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 800 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, SC-59, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 800 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, SC-59, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
零件包装代码 SC-59 SC-59 SC-59 SC-59
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC) 0.8 A 0.8 A 0.8 A 0.8 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 65 65 65 65
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz
厂商名称 Toshiba(东芝) - Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
【问TI】uip 协议栈写LM3S8962以太网
请问一下 我用uip 协议栈写LM3S8962以太网 怎么让数据连续往上位机发送呢 我现在只能上位机发送一次数据 下位机才向上发送一次数据 我想上位机发送一次命令 下位机能连续发送数据 等到我发停止 ......
飞龙飞龙 微控制器 MCU
opa842 G=1时那个RF=25欧姆 是什么意思
本帖最后由 dontium 于 2015-1-23 12:58 编辑 opa842datasheet里面写到G=1时 后面那个RF=25 是什么意思是说输出与反相端之间要加一个25欧姆的电阻?求解释 ...
shelher 模拟与混合信号
求救:sed1335控制器320*240液晶显示地址问题
最近在研究430单片机控制lcd液晶显示的问题!可是对液晶控制器1335的资料却研究的不够透彻。关于分屏和每一屏地址的范围总是无法确定,导致图形字符重叠,或者显示不全!希望有高手能进来帮忙指 ......
wenchengpvp 嵌入式系统
求一个at89s52单片机的看门狗参考程序
求一个at89s52的看门狗参考程序学习学习,百度上的多是stc的,希望能是简单一些的一个完整程序,主要是想学习看门狗在程序中的位置,希望能有注释的,学习! ...
wh8010jky 51单片机
基准源高了好还是低了好?
本信息来自合作QQ群:AVR单片机学习与交流群(17727270) 群管理员在坛子里的ID:铜河 昨天半夜醒了 突然想到个问题 基准源高了好还是低了好 ...
柏拉图的永恒 单片机
MSP430程序升级方式探讨
MSP430程序升级方式探讨 作者、源出处未明,如知情者请通知我们;我们会及时更新。对MSP430系列单片机进行编程的方式有以下三种:利用JTAG接口,利用BSL固件和利用用户自定义的升 ......
wzjhuohua 微控制器 MCU

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1563  1440  449  1833  2496  32  29  10  37  51 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved