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MBM300BS6

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小308KB,共2页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
下载文档 详细参数 全文预览

MBM300BS6概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE

MBM300BS6规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码MODULE
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH SPEED, ULTRA SOFT FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)300 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
元件数量2
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称接通时间 (ton)400 ns
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