Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 100V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD-3, 3 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 包装说明 | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 其他特性 | HIGH RELIABILITY |
| 雪崩能效等级（Eas） | 500 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 51 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.045 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-CBCC-N3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 204 A |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| IRHNB4160PBF | IRHNB4160 | |
|---|---|---|
| 描述 | Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 100V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD-3, 3 PIN | Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 100V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD-3, 3 PIN |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
| 包装说明 | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 | HERMETIC SEALED, SMD-3, 3 PIN |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| 其他特性 | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
| 雪崩能效等级（Eas） | 500 mJ | 500 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 51 A | 51 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.045 Ω | 0.045 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-CBCC-N3 | R-CBCC-N3 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 204 A | 204 A |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | 40 |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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