IBM11S1360NNA-70,IBM11S1360NNA-70 pdf中文资料,IBM11S1360NNA-70引脚图,IBM11S1360NNA-70电路-Datasheet-电子工程世界

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IBM11S1360NNA-70: 产品描述Fast Page DRAM Module, 1MX36, 70ns, CMOS, DIMM-72; 产品类别存储存储; 文件大小480KB，共16页; 制造商IBM; 官网地址http://www.ibm.com

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IBM11S1360NNA-70概述

Fast Page DRAM Module, 1MX36, 70ns, CMOS, DIMM-72

IBM11S1360NNA-70规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	IBM
零件包装代码	DIMM
包装说明	,
针数	72
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE
最长访问时间	70 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
备用内存宽度	18
JESD-30 代码	R-XDMA-N72
内存密度	37748736 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度	36
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	72
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子位置	DUAL

IBM11S1360NNA-70相似产品对比

	IBM11S1360NNA-70	IBM11S1360NNA-60	IBM11S1360NLA-70	IBM11S1360NLA-60
描述	Fast Page DRAM Module, 1MX36, 70ns, CMOS, DIMM-72	Fast Page DRAM Module, 1MX36, 60ns, CMOS, DIMM-72	Fast Page DRAM Module, 1MX36, 70ns, CMOS, DIMM-72	Fast Page DRAM Module, 1MX36, 60ns, CMOS, DIMM-72
厂商名称	IBM	IBM	IBM	IBM
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
针数	72	72	72	72
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE
最长访问时间	70 ns	60 ns	70 ns	60 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
备用内存宽度	18	18	18	18
JESD-30 代码	R-XDMA-N72	R-XDMA-N72	R-XDMA-N72	R-XDMA-N72
内存密度	37748736 bit	37748736 bit	37748736 bit	37748736 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度	36	36	36	36
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	72	72	72	72
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX36	1MX36	1MX36	1MX36
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL

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