Operational Amplifier, 1 Func, 750uV Offset-Max, BICMOS, PBGA8, UCSP-8
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Maxim(美信半导体) |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | UCSP-8 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0001 µA |
标称共模抑制比 | 115 dB |
频率补偿 | YES |
最大输入失调电压 | 750 µV |
JESD-30 代码 | S-PBGA-B8 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 1.52 mm |
低-偏置 | YES |
低-失调 | YES |
微功率 | YES |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VFBGA |
封装等效代码 | BGA8,3X3,20 |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
功率 | NO |
电源 | 5 V |
可编程功率 | NO |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 0.67 mm |
标称压摆率 | 0.3 V/us |
最大压摆率 | 1.31 mA |
供电电压上限 | 6 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | BICMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.5 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
标称均一增益带宽 | 3000 kHz |
最小电压增益 | 10000 |
宽带 | NO |
宽度 | 1.52 mm |
MAX4252EBA-T | MAX4253EBB-T | |
---|---|---|
描述 | Operational Amplifier, 1 Func, 750uV Offset-Max, BICMOS, PBGA8, UCSP-8 | Operational Amplifier, 1 Func, 750uV Offset-Max, BICMOS, PBGA10, BUMP, UCSP-10 |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Maxim(美信半导体) | Maxim(美信半导体) |
零件包装代码 | BGA | BGA |
包装说明 | UCSP-8 | BUMP, UCSP-10 |
针数 | 8 | 10 |
Reach Compliance Code | not_compliant | _compli |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0001 µA | 0.0001 µA |
标称共模抑制比 | 115 dB | 115 dB |
频率补偿 | YES | YES |
最大输入失调电压 | 750 µV | 750 µV |
JESD-30 代码 | S-PBGA-B8 | R-PBGA-B10 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
长度 | 1.52 mm | 2.12 mm |
低-偏置 | YES | YES |
低-失调 | YES | YES |
微功率 | YES | YES |
功能数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 8 | 10 |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | VFBGA | VFBGA |
封装等效代码 | BGA8,3X3,20 | BGA10,3X4,20 |
封装形状 | SQUARE | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
功率 | NO | NO |
电源 | 5 V | 5 V |
可编程功率 | NO | NO |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 0.67 mm | 0.67 mm |
标称压摆率 | 0.3 V/us | 0.3 V/us |
最大压摆率 | 1.31 mA | 1.31 mA |
供电电压上限 | 6 V | 6 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | YES |
技术 | BICMOS | BICMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | BALL | BALL |
端子节距 | 0.5 mm | 0.5 mm |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
标称均一增益带宽 | 3000 kHz | 3000 kHz |
最小电压增益 | 10000 | 10000 |
宽带 | NO | NO |
宽度 | 1.52 mm | 1.54 mm |
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