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BAS21-GT1

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小149KB,共3页
制造商Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
标准
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BAS21-GT1概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

BAS21-GT1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.35 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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