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IDT70V927S30PRF

产品描述Dual-Port SRAM, 32KX16, 30ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128
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制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT70V927S30PRF概述

Dual-Port SRAM, 32KX16, 30ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128

IDT70V927S30PRF规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明LFQFP, QFP128,.63X.87,20
针数128
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间30 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQFP-G128
JESD-609代码e0
长度20 mm
内存密度524288 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量128
字数32768 words
字数代码32000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX16
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFQFP
封装等效代码QFP128,.63X.87,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.005 A
最小待机电流3 V
最大压摆率0.21 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度14 mm

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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16
SYNCHRONOUS
DUAL-PORT STATIC RAM
Features
x
x
PRELIMINARY
IDT70V927S/L
x
x
x
x
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
High-speed clock to data access
– Commercial: 25/30ns
Low-power operation
– IDT70V927S
Active: 550mW (typ.)
Standby: 3.3mW (typ.)
– IDT70V927L
Active: 550mW (typ.)
Standby: 660mW (typ.)
Flow-Through output mode
Counter enable and reset features
Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
x
x
x
x
x
Full synchronous operation on both ports
– 4ns setup to clock and 1ns hold on all control, data, and
address inputs
– Data input, address, and control registers
– Fast 25ns clock to data out
– Self-timed write allows fast cycle time
– 30ns cycle time, 33MHz operation
Separate upper-byte and lower-byte controls for
multiplexed bus and bus matching compatibility
LVTTL- compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available
for selected speeds
Available in a 128 pin Thin Quad Flatpack
Functional Block Diagram
R/W
L
UB
L
CE
0L
CE
1L
LB
L
OE
L
R/W
R
UB
R
CE
0R
CE
1R
LB
R
OE
R
I/O
8L
-I/O
15L
I/O
0L
-I/O
7L
I/O
8R
-I/O
15R
I/O
Control
I/O
Control
I/O
0R
-I/O
7R
A
14L
A
0L
CLK
L
ADS
L
CNTEN
L
CNTRST
L
Counter/
Address
Reg.
MEMORY
ARRAY
Counter/
Address
Reg.
A
14R
A
0R
CLK
R
ADS
R
CNTEN
R
CNTRST
R
3749 drw 01
SEPTEMBER 1999
1
©1999 Integrated Device Technology, Inc.
DSC 3749/4

IDT70V927S30PRF相似产品对比

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描述 Dual-Port SRAM, 32KX16, 30ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128 Dual-Port SRAM, 32KX16, 25ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128 Dual-Port SRAM, 32KX16, 25ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128 Dual-Port SRAM, 32KX16, 30ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 QFP QFP QFP QFP
包装说明 LFQFP, QFP128,.63X.87,20 LFQFP, QFP128,.63X.87,20 LFQFP, QFP128,.63X.87,20 LFQFP, QFP128,.63X.87,20
针数 128 128 128 128
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 30 ns 25 ns 25 ns 30 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PQFP-G128 R-PQFP-G128 R-PQFP-G128 R-PQFP-G128
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
长度 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm
内存密度 524288 bit 524288 bit 524288 bit 524288 bit
内存集成电路类型 DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM
内存宽度 16 16 16 16
湿度敏感等级 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1
端口数量 2 2 2 2
端子数量 128 128 128 128
字数 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000 32000 32000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 32KX16 32KX16 32KX16 32KX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LFQFP LFQFP LFQFP LFQFP
封装等效代码 QFP128,.63X.87,20 QFP128,.63X.87,20 QFP128,.63X.87,20 QFP128,.63X.87,20
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 240 240 240 240
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm
最大待机电流 0.005 A 0.003 A 0.005 A 0.003 A
最小待机电流 3 V 3 V 3 V 3 V
最大压摆率 0.21 mA 0.185 mA 0.22 mA 0.175 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 20 20 20 20
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) - IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
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