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HY5DU1G422LT-M

产品描述DDR DRAM, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
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文件大小298KB,共33页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY5DU1G422LT-M概述

DDR DRAM, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66

HY5DU1G422LT-M规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSSOP66,.46
针数66
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.75 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G66
长度22.225 mm
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量66
字数268435456 words
字数代码256000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSSOP66,.46
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.194 mm
自我刷新YES
连续突发长度2,4,8
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm
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