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KMMR16R84C1-RG6

产品描述Rambus DRAM Module, 8MX16, 53ns, CMOS, DIMM-184
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文件大小164KB,共10页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KMMR16R84C1-RG6概述

Rambus DRAM Module, 8MX16, 53ns, CMOS, DIMM-184

KMMR16R84C1-RG6规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM184,40
针数184
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最长访问时间53 ns
最大时钟频率 (fCLK)600 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N184
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型RAMBUS DRAM MODULE
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量84
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式SYNCHRONOUS
组织8MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM184,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源1.8/2.5,2.5 V
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)2.63 V
最小供电电压 (Vsup)2.37 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
端子形式NO LEAD
端子节距1 mm
端子位置DUAL

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