U632H16D1C45,U632H16D1C45 pdf中文资料,U632H16D1C45引脚图,U632H16D1C45电路-Datasheet-电子工程世界

U632H16D1C45: 产品描述Non-Volatile SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28; 产品类别存储存储; 文件大小341KB，共14页; 制造商Zentrum Mikroelektronik Dresden AG (IDT)

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U632H16D1C45概述

Non-Volatile SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Zentrum Mikroelektronik Dresden AG (IDT)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP28,.6
针数	28
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	45 ns
JESD-30 代码	R-PDIP-T28
JESD-609代码	e0
长度	37.1 mm
内存密度	16384 bit
内存集成电路类型	NON-VOLATILE SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	28
字数	2048 words
字数代码	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP28,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.1 mm
最大待机电流	0.003 A
最大压摆率	0.075 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	15.24 mm

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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