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HB56EW872ETK-6A: 产品描述EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168; 产品类别存储存储; 文件大小346KB，共31页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HB56EW872ETK-6A概述

EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168

HB56EW872ETK-6A规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM168
针数	168
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168
内存密度	603979776 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE
内存宽度	72
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	168
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8MX72
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	25.4 mm
最大待机电流	0.022 A
最大压摆率	0.92 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL

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HB56EW472ETC-A Series,

HB56EW872ETK-A Series

32/64MB Buffered EDO DRAM DIMM

4-Mword

72-bit, 4k Refresh, 1 Bank Module

(4 pcs of 4M

16 & 2 pcs of 4M

4 components)

8-Mword

72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module

(8 pcs of 4M

16 & 4 pcs of 4M

4 components)

ADE-203-844 (Z)

Preliminary, Rev. 0.0

Nov. 14, 1997

Description

The HB56EW472ETC-A, HB56EW872ETK-A belong to 8 Byte DIMM (Dual In-line Memory Module)

family, and have been developed as an optimized main memory solution for 4 and 8 Byte processor

applications. The HB56EW472ETC-A is a 4M

72 dynamic RAM module, mounted 4 pieces of 64-Mbit

DRAM (HM5165165A) sealed in TSOP package and 2 pieces of 16-Mbit DRAM (HM51W16405) sealed

in TSOP package, 2 pieces of 16-bit BiCMOS line driver sealed in TSSOP package. The

HB56EW872ETK-A is a 8M

72 dynamic RAM module, mounted 8 pieces of 64-Mbit DRAM

(HM5165165A) sealed in TSOP package and 4 pieces of 16-Mbit DRAM (HM51W16405) sealed in TSOP

package, 2 pieces of 16-bit BiCMOS line driver sealed in TSSOP package. They offer Extended Data Out

(EDO) Page Mode as a high speed access mode. An outline of the HB56EW472ETC-A,

HB56EW872ETK-A is 168-pin socket type package (dual lead out). Therefore, the HB56EW472ETC-A,

HB56EW872ETK-A make high density mounting possible without surface mount technology. They

provide common data inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted TSOP on its module board.

Features

•

168-pin socket type package (Dual lead out)



Lead pitch: 1.27 mm

•

Single 3.3 V supply: 3.3 V +0.3 V/–0.15 V (HB56EW472ETC-5AR, HB56EW872ETK-5AR)

3.3 V

0.3 V (HB56EW472ETC-6A/7A, HB56EW872ETK-6A/7A)

•

High speed



Access time: t

RAC

= 50 ns/60 ns /70 ns (max)



Access time: t

CAC

= 18 ns /20 ns /23 ns (max)

•

Low power dissipation



Active mode:

3.92 W/3.20 W/2.77 W (max) (HB56EW472ETC-A Series)

3.96 W/3.31 mW/2.88 mW (max) (HB56EW872ETK-A Series)

HB56EW872ETK-6A相似产品对比

	HB56EW872ETK-6A	HB56EW472ETC-6A	HB56EW472ETC-7A	HB56EW472ETC-5AR	HB56EW872ETK-5AR	HB56EW872ETK-7A
描述	EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168	EDO DRAM Module, 4MX72, 60ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168	EDO DRAM Module, 4MX72, 70ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168	EDO DRAM Module, 4MX72, 50ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168	EDO DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168	EDO DRAM Module, 8MX72, 70ns, CMOS, DUAL LEAD OUT, SOCKET TYPE, DIMM-168
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168	DIMM, DIMM168
针数	168	168	168	168	168	168
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns	60 ns	70 ns	50 ns	50 ns	70 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168
内存密度	603979776 bit	301989888 bit	301989888 bit	301989888 bit	603979776 bit	603979776 bi
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE
内存宽度	72	72	72	72	72	72
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	168	168	168	168	168	168
字数	8388608 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	4000000	4000000	4000000	8000000	8000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	8MX72	4MX72	4MX72	4MX72	8MX72	8MX72
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM168	DIMM168	DIMM168	DIMM168	DIMM168	DIMM168
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096	4096	4096
最大待机电流	0.022 A	0.016 A	0.016 A	0.016 A	0.022 A	0.022 A
最大压摆率	0.92 mA	0.89 mA	0.77 mA	1.07 mA	1.1 mA	0.8 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3.15 V	3.15 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
厂商名称	Hitachi （Renesas ）	-	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）

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