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M58BW016BT90ZA6F

产品描述512KX32 FLASH 3V PROM, 90ns, PBGA80, 10 X 12 MM, 1 MM PITCH, LBGA-80
产品类别存储    存储   
文件大小902KB,共63页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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M58BW016BT90ZA6F概述

512KX32 FLASH 3V PROM, 90ns, PBGA80, 10 X 12 MM, 1 MM PITCH, LBGA-80

M58BW016BT90ZA6F规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码BGA
包装说明10 X 12 MM, 1 MM PITCH, LBGA-80
针数80
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间90 ns
其他特性SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; TOP BOOT BLOCK
启动块TOP
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PBGA-B80
JESD-609代码e1
长度12 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度32
功能数量1
部门数/规模8,31
端子数量80
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX32
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装等效代码BGA80,8X10,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
电源2.5/3.3,3/3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.7 mm
部门规模2K,16K
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
切换位NO
类型NOR TYPE
宽度10 mm

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