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DPE256S8N-13M

产品描述EEPROM Module, 256KX8, 170ns, Parallel, CMOS
产品类别存储    存储   
文件大小217KB,共6页
制造商B&B Electronics Manufacturing Company
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DPE256S8N-13M概述

EEPROM Module, 256KX8, 170ns, Parallel, CMOS

DPE256S8N-13M规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称B&B Electronics Manufacturing Company
包装说明DIP, DIP32,.6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间170 ns
其他特性DATA RETENTION > 10 YEARS
数据轮询YES
数据保留时间-最小值10
JESD-30 代码R-XDMA-T32
JESD-609代码e0
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型EEPROM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织256KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
页面大小128 words
并行/串行PARALLEL
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.0015 A
最大压摆率0.085 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
切换位NO
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