电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

1SS352TPHR3

产品描述DIODE 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小203KB,共3页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

1SS352TPHR3概述

DIODE 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

1SS352TPHR3规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
应用FAST RECOVERY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JESD-30 代码R-PDSO-G2
最大非重复峰值正向电流1 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最大输出电流0.1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.2 W
认证状态Not Qualified
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压85 V
最大反向电流0.5 µA
最大反向恢复时间0.004 µs
反向测试电压80 V
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
Base Number Matches1

1SS352TPHR3相似产品对比

1SS352TPHR3 1SS352TPH2 1SS352TPHR2 1SS352TPH4 1SS352TPHR4
描述 DIODE 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode DIODE 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode DIODE 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode DIODE 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode DIODE 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
应用 FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.2 V 1.2 V 1.2 V 1.2 V 1.2 V
JESD-30 代码 R-PDSO-G2 R-PDSO-G2 R-PDSO-G2 R-PDSO-G2 R-PDSO-G2
最大非重复峰值正向电流 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
元件数量 1 1 1 1 1
相数 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最大输出电流 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大功率耗散 0.2 W 0.2 W 0.2 W 0.2 W 0.2 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
参考标准 AEC-Q101 AEC-Q101 AEC-Q101 AEC-Q101 AEC-Q101
最大重复峰值反向电压 85 V 85 V 85 V 85 V 85 V
最大反向电流 0.5 µA 0.5 µA 0.5 µA 0.5 µA 0.5 µA
最大反向恢复时间 0.004 µs 0.004 µs 0.004 µs 0.004 µs 0.004 µs
反向测试电压 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1 1 1 1
请各位研究过入侵检测方面的大侠帮忙
小弟毕业设计要做入侵检测系统,现在苦无资料,请各位大侠推荐几本书,或网站。要是哪位大侠有做过的源码小弟就在此感激涕零了!小弟邮箱:zzhzh11123@163.com。...
jeans703 嵌入式系统
你们会用什么方法去搞定它
如何去搞定它???#define ???void *???intHeHe(int a,int b,char*c)???...
739669351 stm32/stm8
C2000LaunchPad——SIC中断接收
调试SCI接收中断的过程有点折腾。中断也配置了,也使能了,也定义中断响应函数了,跟踪调试时候每次中断发生,总会莫名其妙的进入到一个 asm (ESTOP0); for(;;);,然后卡死在这里,百思不得其解。琢磨了半天,才发现原来CCS5.4已经给定义了一个中断响应函数,在F2802x_DefaultIsr.c里。把自己定义的中断函数屏蔽,在CCS5.4的中断响应函数里接收数据并发送,测试OK。太...
fish001 微控制器 MCU
wince根目录下文件创建问题?
大家肯定试过在wince的根目录下也就是 my device 中文就是我的设备下 创建一个文件夹 aa的实验。也就是在project.bat中加入Root:-Directory("aa")Directory("\aa"):-File("bb.exe","\Windows\bb.exe")。这样我也实现了,但是现在又个问题,比如我现在想创建一个这样的路径应该怎么办呢? 比如我想创建 \aa\cc\b...
wcs WindowsCE
在ADS中出现“The following access path in target 褼ebug?cannot be found:”错误
在ADS中加载文件就出现“The following access path in target 褼ebug?cannot be found:”错误,原来以为是路径问题,把所有的路径都换成英文名字了,可是还是出现在这样的错误,在百度上见到这样的处理方法:对于这个错误信息,可以这样修改,分别选择RelOutChip、RelOutChip、DebugInChipFlash、RelInChip、Debu...
yuyangln198 嵌入式系统

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 440  929  987  1113  1331 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved