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SIHF630S-GE3

产品描述TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小196KB,共10页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SIHF630S-GE3概述

TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power

SIHF630S-GE3规格参数

参数名称属性值
厂商名称Vishay(威世)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)9 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)74 W
表面贴装YES

SIHF630S-GE3相似产品对比

SIHF630S-GE3 SIHF630STR-E3 SIHF630STRL-GE3 SIHF630STRR-GE3 SIHF630STL-E3 SIHF630S-E3
描述 TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power TRANSISTOR 9 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SMD-220, 3 PIN, FET General Purpose Power TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power TRANSISTOR 9 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SMD-220, 3 PIN, FET General Purpose Power TRANSISTOR 9 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SMD-220, 3 PIN, FET General Purpose Power
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
配置 Single SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Single Single SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏极电流 (Abs) (ID) 9 A 9 A 9 A 9 A 9 A 9 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 74 W 74 W 74 W 74 W 74 W 74 W
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
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