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IXFR32N80Q3

产品描述Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 800V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, ISOPLUS247, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小143KB,共5页
制造商IXYS
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IXFR32N80Q3概述

Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 800V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, ISOPLUS247, 3 PIN

IXFR32N80Q3规格参数

参数名称属性值
包装说明PLASTIC, ISOPLUS247, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknow
其他特性AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
雪崩能效等级(Eas)3000 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)24 A
最大漏极电流 (ID)24 A
最大漏源导通电阻0.3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)500 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)84 A
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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