Datasheet> 器件分类 > 无线/射频/通信> 射频和微波> TN6582

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TN6582: 产品描述RF AMPLIFIER MODEL; 产品类别无线/射频/通信射频和微波; 文件大小71KB，共1页; 制造商API Technologies; 官网地址http://www.apitech.com/about-api

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TN6582概述

RF AMPLIFIER MODEL

TN6582规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	API Technologies
包装说明	SM3, 4 PIN
Reach Compliance Code	compli
其他特性	I/P POWER-MAX (PEAK)=27DBM
构造	COMPONENT
增益	21.5 dB
最大输入功率 (CW)	10 dBm
最大工作频率	500 MHz
最小工作频率	20 MHz
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-55 °C
射频/微波设备类型	WIDE BAND LOW POWER
最大电压驻波比	2

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RF AMPLIFIER

MODEL

TM6582

Features

Low Noise Figure: 3.5 dB Typical

High Output Power: +21 dBm Typical

Operating Temp. - 55 ºC

to +85

ºC

Environmental Screening Available

Available as:

TM6582, 4 Pin TO-8 (T4)

TN6582, 4 Pin Surface Mount (SM3)

FP6582, 4 Pin Flatpack (FP4)

BX6582, Connectorized Housing (H1)

Typical Intermodulation Performance at 25 º C

Second Order Harmonic Intercept Point ...... +49 dBm (Typ.)

Second Order Two Tone Intercept Point ....... +43 dBm (Typ.)

Third Order Two Tone Intercept Point ........... +33 dBm (Typ.)

Specifications

CHARACTERISTIC

Frequency

Gain (dB)

Power @ 1 dB

Comp. (dBm)

Reverse

Isolation (dB)

VSWR

Out

Noise figure (dB)

Power

Vdc

TYPICAL

Ta= 25 ºC

20 - 500 MHz

+21

-29

1.5:1

1.25:1

3.5

+15

MIN/MAX

Ta = -55 ºC to +85 ºC

30 - 500 MHz

21.5 Min.

+17.0 Min.

-27 Max.

2.0:1 Max.

4.5 Max.

+15

52 Max.

Maximum Ratings

Ambient Operating Temperature .............. -55ºC to + 100 ºC

Storage Temperature ............................... -62ºC to + 125 ºC

Case Temperature ................................................. + 125 ºC

DC Voltage ......................................................... + 18 Volts

Continuous RF Input Power ................................. +10 dBm

Short Term RF Input Power...... 50 Milliwatts (1 Minute Max.)

Maximum Peak Power ................... 0.5 Watt (3

µsec

Max.)

Note: Care should always be taken to effectively ground the case of each

unit.

Typical Performance Data

Reverse Isolation (dB)

4.5

3.5

2.5

Start 30 MHz

Stop 500 MHz

Start 30 MHz

Stop 500 MHz

Gain (dB)

Start 30 MHz

Stop 500 MHz

- 10

- 20

- 30

- 40

Noise Figure (dB)

1 dB Comp. (dBm)

+24

+22

+20

+18

+16

Start 30 MHz

Stop 500 MHz

Input VSWR

2.0

1.5

1.0

Start 30 MHz

Stop 500 MHz

2.0

1.5

1.0

Start 30 MHz

Output VSWR

Stop 500 MHz

Legend

+ 25 ºC

+ 85 ºC - - - - - - -55 ºC

Spectrum Microwave · 2144 Franklin Drive N.E. · Palm Bay, Florida 32905 · PH (888) 553-7531 · Fax (888) 553-7532

11/16/04

www.spectrummicrowave.com

Spectrum Microwave (Europe) · 2707 Black Lake Place · Philadelphia, Pa. 19154 · PH (215) 464-4000 · Fax (215) 464-4001

TN6582相似产品对比

	TN6582	BX6582	TM6582
描述	RF AMPLIFIER MODEL	RF AMPLIFIER MODEL	RF AMPLIFIER MODEL
厂商名称	API Technologies	API Technologies	API Technologies
Reach Compliance Code	compli	compli	compli
其他特性	I/P POWER-MAX (PEAK)=27DBM	I/P POWER-MAX (PEAK)=27DBM	I/P POWER-MAX (PEAK)=27DBM
构造	COMPONENT	COAXIAL	COMPONENT
增益	21.5 dB	21.5 dB	21.5 dB
最大输入功率 (CW)	10 dBm	10 dBm	10 dBm
最大工作频率	500 MHz	500 MHz	500 MHz
最小工作频率	20 MHz	20 MHz	20 MHz
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C
射频/微波设备类型	WIDE BAND LOW POWER	WIDE BAND LOW POWER	WIDE BAND LOW POWER
最大电压驻波比	2	2	2
包装说明	SM3, 4 PIN	-	T4, TO-8, 4 PIN

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