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Datasheet> 器件分类 > 无线/射频/通信> 射频和微波> TN6519
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TN6519

产品描述RF AMPLIFIER MODEL
产品类别无线/射频/通信    射频和微波   
文件大小40KB，共1页
制造商API Technologies
官网地址http://www.apitech.com/about-api
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TN6519概述

RF AMPLIFIER MODEL

TN6519规格参数

参数名称属性值
包装说明MODULE,4LEAD,.45SQ
Reach Compliance Codecompli
其他特性I/P POWER-MAX (PEAK)=23DBM
构造COMPONENT
增益12 dB
最大输入功率 (CW)13 dBm
功能数量1
端子数量4
最大工作频率500 MHz
最小工作频率10 MHz
最高工作温度85 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料METAL
封装等效代码MODULE,4LEAD,.45SQ
电源15 V
射频/微波设备类型WIDE BAND LOW POWER
最大压摆率73 mA
最大电压驻波比2
Base Number Matches1

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RF AMPLIFIER
MODEL
TM6519
Features
!
!
!
!
Output Power: >+19 dBm Typical
High Third Order Intercept:+34 dBm Typical
Operating Temp. - 55 ºC to +85 ºC
Environmental Screening Available
TYPICAL
Ta= 25 ºC
10 - 500 MHz
14.3
>+19
-16
<1.5:1
<1.6:1
<5.5
+15
70
MIN/MAX
Ta = -55 ºC to +85 ºC
10 - 500 MHz
12.0 Min.
+17 Min.
-15 Max.
2.0:1 Max.
2.0:1 Max.
6.0 Max.
+15
73 Max.
Available as:
TM6519, 4 Pin TO-8 (T4)
TN6519, 4 Pin Surface Mount (SM3)
FP6519, 4 Pin Flatpack (FP4)
BX6519, Connectorized Housing (H1)
Typical Intermodulation Performance at 25 º C
Second Order Harmonic Intercept Point ....... +45 dBm (Typ.)
Second Order Two Tone Intercept Point ........ +40 dBm (Typ.)
Third Order Two Tone Intercept Point ............ +34 dBm (Typ.)
Specifications
CHARACTERISTIC
Frequency
Gain (dB)
Power @ 1 dB
Comp. (dBm)
Reverse
Isolation (dB)
In
Out
Noise figure (dB)
Power
Vdc
mA
VSWR
Maximum Ratings
Ambient Operating Temperature .............. -55ºC to + 100 ºC
Storage Temperature ............................... -62ºC to + 125 ºC
Case Temperature ................................................. + 125 ºC
DC Voltage ......................................................... + 18 Volts
Continuous RF Input Power ................................. + 13 dBm
Short Term RF Input Power ...... 50 Milliwatts (1 Minute Max.)
Maximum Peak Power .................... 0.2 Watt (3
µsec
Max.)
Note: Care should always be taken to effectively ground the case of each unit.
Typical Performance Data
Gain (dB)
16
15
14
13
12
Start 10 MHz
Stop 500 MHz
0
- 5
- 10
- 15
- 20
Reverse Isolation (dB)
7
6
5
4
3
Start 10 MHz
Stop 500 MHz
Start 10 MHz
Noise Figure (dB)
Stop 500 MHz
1 dB Comp. (dBm)
+21
+20
+19
+18
+17
Start 10 MHz
Stop 500 MHz
2.0
1.5
1.0
Start 10 MHz
Input VSWR
2.0
1.5
1.0
Stop 500 MHz
Start 10 MHz
Output VSWR
Stop 500 MHz
Legend
+ 25 ºC
+ 85 ºC - - - - - - -55 ºC
Linear S-Parameters
S11
S21
S12
S22
FREQ.
MHz
Mag.
Deg.
Mag.
Deg.
Mag.
Deg.
Mag.
Deg.
========================================================================================
5
10
50
100
200
300
400
500
.17
.12
.09
.09
.07
.06
.07
.08
-109
-135
-179
168
119
73
17
- 30
5.21
5.33
5.39
5.39
5.40
5.39
5.38
5.34
-164
-174
172
162
142
122
102
82
.11
.11
.12
.12
.12
.13
.14
.15
18
9
1
- 1
- 4
- 9
- 15
- 22
.22
.13
.09
.08
.07
.07
.07
.08
135
139
160
156
150
138
133
121
Spectrum Microwave · 2144 Franklin Drive N.E. · Palm Bay, Florida 32905 · PH (888) 553-7531 · Fax (888) 553-7532
2/24/04
www.spectrummicrowave.com
Spectrum Microwave (Europe) · 2707 Black Lake Place · Philadelphia, Pa. 19154 · PH (215) 464-4000 · Fax (215) 464-4001

TN6519相似产品对比

TN6519 BX6519 FP6519 TM6519
描述 RF AMPLIFIER MODEL RF AMPLIFIER MODEL RF AMPLIFIER MODEL RF AMPLIFIER MODEL
Reach Compliance Code compli compli compli compli
其他特性 I/P POWER-MAX (PEAK)=23DBM I/P POWER-MAX (PEAK)=23DBM I/P POWER-MAX (PEAK)=23DBM I/P POWER-MAX (PEAK)=23DBM
构造 COMPONENT COAXIAL COMPONENT COMPONENT
增益 12 dB 12 dB 12 dB 12 dB
最大输入功率 (CW) 13 dBm 13 dBm 13 dBm 13 dBm
最大工作频率 500 MHz 500 MHz 500 MHz 500 MHz
最小工作频率 10 MHz 10 MHz 10 MHz 10 MHz
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
射频/微波设备类型 WIDE BAND LOW POWER WIDE BAND LOW POWER WIDE BAND LOW POWER WIDE BAND LOW POWER
最大电压驻波比 2 2 2 2
包装说明 MODULE,4LEAD,.45SQ - MODULE,4LEAD,.5SQ CAN4,.3
功能数量 1 - 1 1
端子数量 4 - 4 4
封装主体材料 METAL - METAL METAL
封装等效代码 MODULE,4LEAD,.45SQ - MODULE,4LEAD,.5SQ CAN4,.3
电源 15 V - 15 V 15 V
最大压摆率 73 mA - 73 mA 73 mA

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