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Datasheet> 器件分类 > 无线/射频/通信> 射频和微波> TM6581
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TM6581

产品描述RF AMPLIFIER MODEL
产品类别无线/射频/通信    射频和微波   
文件大小73KB，共1页
制造商API Technologies
官网地址http://www.apitech.com/about-api
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TM6581概述

RF AMPLIFIER MODEL

TM6581规格参数

参数名称属性值
厂商名称API Technologies
包装说明CAN4,.3
Reach Compliance Codecompli
其他特性I/P POWER-MAX (PEAK)=27DBM
特性阻抗50 Ω
构造COMPONENT
增益21 dB
最大输入功率 (CW)20 dBm
功能数量1
端子数量4
最大工作频率500 MHz
最小工作频率20 MHz
最高工作温度85 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料METAL
封装等效代码CAN4,.3
电源15 V
射频/微波设备类型WIDE BAND LOW POWER
最大压摆率30 mA
最大电压驻波比2

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RF AMPLIFIER
MODEL
TM6581
Features
!
!
!
!
High Gain: 22 dB Typical
Low Noise Figure: 3.5 dB Typical
Operating Temp. - 55 ºC to +85 ºC
Environmental Screening Available
Available as:
TM6581, 4 Pin TO-8 (T4)
TN6581, 4 Pin Surface Mount (SM3)
FP6581, 4 Pin Flatpack (FP4)
BX6581, Connectorized Housing (H1)
Typical Intermodulation Performance at 25 º C
Second Order Harmonic Intercept Point........+46 dBm (Typ.)
Second Order Two Tone Intercept Point.........+40 dBm (Typ.)
Third Order Two Tone Intercept Point.............+28 dBm (Typ.)
Specifications
CHARACTERISTIC
Frequency
Gain (dB)
Power @ 1 dB
Comp. (dBm)
Reverse
Isolation (dB)
VSWR
In
Out
Noise figure (dB)
Power
Vdc
mA
TYPICAL
Ta= 25 ºC
20-500 MHz
22
16
-29
1.5:1
1.5:1
3.5
+15
27
MIN/MAX
Ta = -55 ºC to +85 ºC
20-500 MHz
21 Min.
13.5 Min.
-28 Max.
2.00:1 Max.
2.00:1 Max.
4.5 Max.
+15 Min.
30 Max.
Maximum Ratings
Ambient Operating Temperature .............. -55ºC to + 100 ºC
Storage Temperature ............................... -62ºC to + 125 ºC
Case Temperature ................................................. + 125 ºC
DC Voltage ......................................................... + 18 Volts
Continuous RF Input Power ................................. + 20 dBm
Short Term RF Input Power .... 200 Milliwatts (1 Minute Max.)
Maximum Peak Power .................... 0.5 Watt (3
µsec
Max.)
Note: Care should always be taken to effectively ground the case of each unit.
Typical Performance Data
24
23
22
21
20
Start 20 MHz
Stop 500 MHz
Gain (dB)
0
- 10
- 20
- 30
- 40
Reverse Isolation (dB)
Noise Figure (dB)
4
3
2
Start 20 MHz
Stop 500 MHz
Start 20 MHz
Stop 500 MHz
1 dB Comp. (dBm)
+20
+18
+16
+14
+12
Start 20 MHz
2.0
1.5
1.0
Input VSWR
2.0
1.5
1.0
Output VSWR
Stop 500 MHz
Start 20 MHz
Stop 500 MHz
Start 20 MHz
Stop 500 MHz
Legend
+ 25 ºC
+ 85 ºC - - - - - - -55 ºC
Spectrum Microwave · 2144 Franklin Drive N.E. · Palm Bay, Florida 32905 · PH (888) 553-7531 · Fax (888) 553-7532
4/27/04
www.spectrummicrowave.com
Spectrum Microwave (Europe) · 2707 Black Lake Place · Philadelphia, Pa. 19154 · PH (215) 464-4000 · Fax (215) 464-4001

TM6581相似产品对比

TM6581 BX6581 FP6581 TN6581
描述 RF AMPLIFIER MODEL RF AMPLIFIER MODEL RF AMPLIFIER MODEL RF AMPLIFIER MODEL
Reach Compliance Code compli compli compli compli
其他特性 I/P POWER-MAX (PEAK)=27DBM I/P POWER-MAX (PEAK)=27DBM I/P POWER-MAX (PEAK)=27DBM I/P POWER-MAX (PEAK)=27DBM
构造 COMPONENT COAXIAL COMPONENT COMPONENT
增益 21 dB 21 dB 21 dB 21 dB
最大输入功率 (CW) 20 dBm 20 dBm 20 dBm 20 dBm
最大工作频率 500 MHz 500 MHz 500 MHz 500 MHz
最小工作频率 20 MHz 20 MHz 20 MHz 20 MHz
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
射频/微波设备类型 WIDE BAND LOW POWER WIDE BAND LOW POWER WIDE BAND LOW POWER WIDE BAND LOW POWER
最大电压驻波比 2 2 2 2
包装说明 CAN4,.3 - MODULE,4LEAD(UNSPEC) MODULE,4LEAD,.45SQ
功能数量 1 - 1 1
端子数量 4 - 4 4
封装主体材料 METAL - METAL METAL
封装等效代码 CAN4,.3 - MODULE,4LEAD(UNSPEC) MODULE,4LEAD,.45SQ
电源 15 V - 15 V 15 V
最大压摆率 30 mA - 30 mA 30 mA

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