2014-01-14
Silicon NPN Phototransistor
NPN-Silizium-Fototransistor
Version 1.1
BPX 38
•
Spectral range of sensitivity:
(typ) 450 ... 1120
nm
•
Package:
Metal Can (TO-18), hermetically sealed
•
•
•
•
Special:
Base connection
Suitable up to 125 °C
High linearity
Available in groups
Features:
•
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
(typ) 450 ... 1120 nm
•
Gehäuse:
Metall Gehäuse (TO-18), hermetisch
dicht
•
Besonderheit:
Basisanschluss
• Geeignet bis 125 °C
• Hohe Linearität
• Gruppiert lieferbar
Besondere Merkmale:
Applications
• Photointerrupters
• Industrial electronics
• For control and drive circuits
Anwendungen
• Lichtschranken
• Industrieelektronik
• Messen / Steuern / Regeln
2014-01-14
1
Version 1.1
Ordering Information
Bestellinformation
Type:
Typ:
Photocurrent
Fotostrom
λ
= 950 nm, E
e
= 0.5 mW/cm
2
, V
CE
= 5 V
I
PCE
[µA]
BPX 38
BPX 38-2/3
BPX 38-3
BPX 38-4
Note:
Anm.:
BPX 38
Ordering Code
Bestellnummer
≥
200
200 ... 630
320 ... 630
500 ... 1000
Q62702P0015
Q62702P3578
Q62702P0015S003
Q62702P0015S004
Only one bin within one packing unit (variation less than 2:1)
Nur eine Gruppe pro Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1)
Maximum Ratings
(T
A
= 25 °C)
Grenzwerte
Parameter
Bezeichnung
Operating and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Collector-emitter voltage
Kollektor-Emitter-Spannung
Collector current
Kollektorstrom
Collector surge current
Kollektorspitzenstrom
(τ < 10 µs)
Emitter-base voltage
Emitter-Basis-Spannung
Total power dissipation
Verlustleistung
Thermal resistance
Wärmewiderstand
Symbol
Symbol
T
op
; T
stg
V
CE
I
C
I
CS
Values
Werte
-40 ... 125
50
50
200
Unit
Einheit
°C
V
mA
mA
V
EB
P
tot
R
thJA
7
220
450
V
mW
K/W
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Version 1.1
Characteristics
(T
A
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter
Bezeichnung
Wavelength of max. sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Spectral range of sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
Radiant sensitive area
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Dimensions of chip area
Abmessung der Chipfläche
Half angle
Halbwinkel
Photocurrent of collector-base photodiode
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
(λ = 950 nm, E
e
= 0.5 mW/cm
2
, V
CB
= 5 V)
Photocurrent of collector-base photodiode
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
(E
V
= 1000 lx, Std. Light A, V
CB
= 5 V)
Capacitance
Kapazität
(V
CE
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
Capacitance
Kapazität
(V
CB
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
Capacitance
Kapazität
(V
EB
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
Dark current
Dunkelstrom
(V
CE
= 25 V, E = 0)
Symbol
Symbol
λ
S max
λ
10%
A
LxW
ϕ
I
PCB
Values
Werte
880
450 ... 1120
0.675
1.02 x 1.02
± 40
1.8
BPX 38
Unit
Einheit
nm
nm
mm
2
mm x
mm
°
μA
I
PCB
5.5
μA
C
CE
23
pF
C
CB
39
pF
C
EB
47
pF
I
CE0
20 (≤ 100)
nA
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Version 1.1
Grouping
(T
A
= 25 °C,
λ
= 950 nm)
Gruppierung
Group
Gruppe
Min Photocurrent Max
Photocurrent
Min Fotostrom
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
I
PCE, min
[µA]
BPX 38-2
BPX 38-3
BPX 38-4
BPX 38-5
Group
Gruppe
200
320
500
800
Max Fotostrom
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
I
PCE, max
[µA]
400
630
1000
BPX 38
Typ Photocurrent Rise and fall time
Typ Fotostrom
Anstiegs- und
Abfallzeit
E
V
= 1000 lx, Std. I
C
= 1 mA,
Light A, V
CE
= 5 V V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 kΩ
I
PCE
[µA]
950
1500
2300
3600
t
r
, t
f
[µs]
9
12
15
18
Current gain
Stromverstärkung
E
e
= 0.5 mW/cm
2
, V
CE
= 5 V
I
PCE
/ I
PCB
170
280
420
650
Collector-emitter saturation
voltage
Kollektor-Emitter
Sättigungsspannung
I
C
= I
PCEmin
x 0.3,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
V
CEsat
[mV]
BPX 38-2
BPX 38-3
BPX 38-4
BPX 38-5
200
200
200
200
Note.: I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group.
Anm.:
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.
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Version 1.1
Relative Spectral Sensitivity
Relative spektrale Empfindlichkeit
S
rel
= f(λ)
Photocurrent
Fotostrom
I
PCE
= f(E
e
),
V
CE
= 5 V
BPX 38
Collector Current
Kollektorstrom
I
C
= f(V
CE
), I
B
= Parameter
Collector Current
Kollektorstrom
I
C
= f(V
CE
), I
B
= Parameter
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5
微控制器 MCU
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