Flash, 2MX8, PDSO8, USON-8
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
包装说明 | HVSON, SOLCC8,.12,20 |
Reach Compliance Code | compliant |
备用内存宽度 | 1 |
最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz |
数据保留时间-最小值 | 20 |
耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-PDSO-N8 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 3 mm |
内存密度 | 16777216 bit |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
字数 | 2097152 words |
字数代码 | 2000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 2MX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | HVSON |
封装等效代码 | SOLCC8,.12,20 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
并行/串行 | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
编程电压 | 3 V |
筛选级别 | AEC-Q100 |
座面最大高度 | 0.6 mm |
串行总线类型 | SPI |
最大待机电流 | 0.00003 A |
最大压摆率 | 0.025 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | AUTOMOTIVE |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 0.5 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
类型 | NOR TYPE |
宽度 | 2 mm |
写保护 | HARDWARE/SOFTWARE |
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