PBLS6001D,PBLS6001D pdf中文资料,PBLS6001D引脚图,PBLS6001D电路-Datasheet-电子工程世界

PBLS6001D: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小253KB，共17页; 制造商Nexperia; 官网地址https://www.nexperia.com; 标准

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PBLS6001D概述

Small Signal Bipolar Transistor

PBLS6001D规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Nexperia
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	30
JESD-30 代码	R-PDSO-G6
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	2
端子数量	6
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	NPN AND PNP
表面贴装	YES
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	185 MHz

PBLS6001D相似产品对比

	PBLS6001D	934059264115	PBLS6001D/T2	PBLS6001D/T1
描述	Small Signal Bipolar Transistor	Small Signal Bipolar Transistor	Small Signal Bipolar Transistor	Small Signal Bipolar Transistor
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
厂商名称	Nexperia	Nexperia	Nexperia	Nexperia
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
其他特性	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V	50 V	50 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	30	30	30	30
JESD-30 代码	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6
元件数量	2	2	2	2
端子数量	6	6	6	6
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN AND PNP	NPN AND PNP	NPN AND PNP	NPN AND PNP
表面贴装	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	185 MHz	185 MHz	185 MHz	185 MHz
峰值回流温度（摄氏度）	260	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间	30	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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