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US1D-T1

产品描述1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小42KB,共3页
制造商Won-Top Electronics Co., Ltd.
官网地址https://www.wontop.com/
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US1D-T1概述

1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC

US1D-T1规格参数

参数名称属性值
元件数量1
端子数量2
加工封装描述PLASTIC, SMA, 2 PIN
状态Active
二极管类型RECTIFIER DIODE
结构SINGLE
二极管元件材料SILICON
最大正向电压1.7 V
jedec_95_codeDO-214AC
jesd_30_codeR-PDSO-C2
jesd_609_codee0
moisture_sensitivity_levelNOT SPECIFIED
最大非重复峰值正向电流30 A
最小工作温度-50 Cel
最大工作温度150 Cel
最大输出电流1 A
包装材料PLASTIC/EPOXY
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
eak_reflow_temperature__cel_NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压600 V
反向恢复时间最大0.0750 µs
sub_categoryRectifier Diodes
表面贴装YES
端子涂层TIN LEAD
端子形式C BEND
端子位置DUAL
ime_peak_reflow_temperature_max__s_NOT SPECIFIED
dditional_featureLOW POWER LOSS

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W TE
PO WE R SEM IC O ND U C TO RS
US1A – US1K
1.0A SURFACE MOUNT ULTRA FAST RECTIFIER
Features
!
!
!
!
!
!
!
Glass Passivated Die Construction
Ideally Suited for Automatic Assembly
Low Forward Voltage Drop, High Efficiency
Surge Overload Rating to 30A Peak
Low Power Loss
Ultra-Fast Recovery Time
Plastic Case Material has UL Flammability
Classification Rating 94V-O
B
D
A
F
C
H
G
E
Mechanical Data
!
!
!
!
!
Case: Molded Plastic
Terminals: Solder Plated, Solderable
per MIL-STD-750, Method 2026
Polarity: Cathode Band or Cathode Notch
Marking: Type Number
Weight: 0.064 grams (approx.)
SMA/DO-214AC
Dim
Min
Max
A
2.50
2.90
B
4.00
4.60
C
1.40
1.60
D
0.152
0.305
E
4.80
5.28
F
2.00
2.44
G
0.051
0.203
H
0.76
1.52
All Dimensions in mm
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
@T
L
= 100°C
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
US1A
@T
A
=25°C unless otherwise specified
US1B
US1D
US1G
US1J
US1K
Unit
50
35
100
70
200
140
1.0
400
280
600
420
800
560
V
V
A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms Single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
@T
A
= 55°C
Forward Voltage
Peak Reverse Current
At Rated DC Blocking Voltage
Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance (Note 3)
Operating and Storage Temperature Range
@I
F
= 1.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
I
FSM
V
FM
I
RM
t
rr
C
j
R
JL
T
j,
T
STG
50
1.0
30
1.4
10
500
100
15
30
-50 to +150
1.7
A
V
µA
nS
pF
K/W
°C
Note: 1. Measured with I
F
= 0.5A, I
R
= 1.0A, I
rr
= 0.25A,
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 V DC.
3. Mounted on P.C. Board with 8.0mm
2
land area.
US1A – US1K
1 of 3
© 2002 Won-Top Electronics

US1D-T1相似产品对比

US1D-T1 US1B-T1
描述 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC
元件数量 1 1
端子数量 2 2
加工封装描述 PLASTIC, SMA, 2 PIN PLASTIC, SMA, 2 PIN
状态 Active Active
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
结构 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
最大正向电压 1.7 V 1.7 V
jedec_95_code DO-214AC DO-214AC
jesd_30_code R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
jesd_609_code e0 e0
moisture_sensitivity_level NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大非重复峰值正向电流 30 A 30 A
最小工作温度 -50 Cel -50 Cel
最大工作温度 150 Cel 150 Cel
最大输出电流 1 A 1 A
包装材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
包装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
包装尺寸 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
eak_reflow_temperature__cel_ NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 600 V 600 V
反向恢复时间最大 0.0750 µs 0.0750 µs
sub_category Rectifier Diodes Rectifier Diodes
表面贴装 YES YES
端子涂层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 C BEND C BEND
端子位置 DUAL DUAL
ime_peak_reflow_temperature_max__s_ NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
dditional_feature LOW POWER LOSS LOW POWER LOSS
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