IS61QDB42M18A-333B3,IS61QDB42M18A-333B3 pdf中文资料,IS61QDB42M18A-333B3引脚图,IS61QDB42M18A-333B3电路-Datasheet-电子工程世界

IS61QDB42M18A-333B3: 产品描述QDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, TFBGA-165; 产品类别存储存储; 文件大小504KB，共30页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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IS61QDB42M18A-333B3概述

QDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, TFBGA-165

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明	13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, TFBGA-165
Reach Compliance Code	compliant
最长访问时间	0.45 ns
最大时钟频率 (fCLK)	333 MHz
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PBGA-B165
长度	15 mm
内存密度	37748736 bit
内存集成电路类型	QDR SRAM
内存宽度	18
功能数量	1
端子数量	165
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2MX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
电源	1.5/1.8,1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.29 A
最小待机电流	1.7 V
最大压摆率	0.75 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.89 V
最小供电电压 (Vsup)	1.71 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	13 mm

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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