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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> RN1302(T5LHLS,F)
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RN1302(T5LHLS,F)

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小460KB，共7页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN1302(T5LHLS,F)概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

RN1302(T5LHLS,F)规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)50
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz

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RN1301~RN1306
TOSHIBA Transistor
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1301, RN1302, RN1303
RN1304, RN1305, RN1306
Unit: mm
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
and Driver Circuit Applications
With built-in bias resistors.
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Complementary to RN2301 to RN2306
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
Type No.
RN1301
RN1302
RN1303
RN1304
RN1305
RN1306
R1 (kΩ)
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2 (kΩ)
4.7
10
22
47
47
47
USM
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
Weight: 6 mg (typ.)
―
SC-70
2-2E1A
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN1301 to 1306
RN1301 to 1306
RN1301 to 1304
RN1305, 1306
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
Rating
50
50
10
5
100
100
150
−55
to 150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Start of commercial production
1987-09
1
2014-03-01

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