Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> RN4911(TE85R)

RN4911(TE85R): 产品描述TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, US6, 2-2J1A, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小285KB，共6页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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RN4911(TE85R)概述

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, US6, 2-2J1A, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal

RN4911(TE85R)规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Toshiba(东芝)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数	6
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	120
JESD-30 代码	R-PDSO-G6
元件数量	2
端子数量	6
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN AND PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	250 MHz

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RN4911

TOSHIBA Transistor

Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

RN4911

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

and Driver Circuit Applications

Including two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads)

With built-in bias resistors

Simplify circuit design

Reduce a quantity of parts and manufacturing process

Unit: mm

Equivalent Circuit and Bias Resister Values

R1: 10kΩ

(Q1, Q2 Common)

Q1 Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Characteristic

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

CBO

CEO

EBO

Rating

−50

−5

−100

Unit

JEDEC

―

JEITA

―

TOSHIBA

2-2J1A

Weight: 6.8mg (typ.)

Q2 Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Characteristic

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

CBO

CEO

EBO

Rating

100

Unit

2007-11-01

RN4911(TE85R)相似产品对比

	RN4911(TE85R)	RN4911TE85L	RN4911(TE85L)	RN4911TE85N	RN4911TE85R
描述	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, US6, 2-2J1A, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, US6, 2-2J1A, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	120	120	120	120	120
JESD-30 代码	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6
元件数量	2	2	2	2	2
端子数量	6	6	6	6	6
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN AND PNP	NPN AND PNP	NPN AND PNP	NPN AND PNP	NPN AND PNP
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	250 MHz	250 MHz	250 MHz	250 MHz	250 MHz
厂商名称	Toshiba(东芝)	-	-	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	-
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99	-
基于收集器的最大容量	-	6 pF	-	6 pF	6 pF
最高工作温度	-	150 °C	-	150 °C	150 °C
VCEsat-Max	-	0.3 V	-	0.3 V	0.3 V

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