电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

251S48N105KV3E

产品描述CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 250 V, X7R, 1 uF, SURFACE MOUNT, 2225
产品类别无源元件   
文件大小456KB,共2页
制造商ETC2
下载文档 详细参数 全文预览

251S48N105KV3E概述

CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 250 V, X7R, 1 uF, SURFACE MOUNT, 2225

电容, 陶瓷, 多层, 250 V, ×7R, 1 uF, 表面贴装, 2225

251S48N105KV3E规格参数

参数名称属性值
负偏差10 %
最小工作温度-55 Cel
最大工作温度125 Cel
正偏差10 %
额定直流电压urdc250 V
加工封装描述CHIP
each_compliYes
欧盟RoHS规范Yes
状态Active
电容类型CERAMIC CAPACITOR
电容1 µF
电介质材料CERAMIC
jesd_609_codee3
制造商系列S48
安装特点SURFACE MOUNT
多层Yes
包装形状RECTANGULAR PACKAGE
cking_methodTR, PLASTIC, 7 INCH
尺寸编码2225
温度特性代码X7R
温度系数15%
端子涂层MATTE TIN OVER NICKEL
端子形状WRAPAROUND

文档预览

下载PDF文档
Large Size Capacitor Chips 500 - 5,000 VDC
K
ey
F
eatures
Rated Working Voltages from 500 to 15,000 VDC
Low ESR Ceramic Out-performs Tantalums
Compact MLC Designs Smaller Than Film or Disc
MIL-PRF-55681 & Hi-Rel Screened Versions Available
Custom Sizes, Voltages, and Values Available
a
ppliCations
• Power Supplies
• Voltage Multipliers
• Data Isolation
• Surge Protection
• Industrial Control Circuits
• Custom Applications
M
axiMuM
C
apaCitanCe vs
dC v
oltage
r
ating
s49 / 1825
L
W
T
E/B
Inches
.180 ±.010
.250 ±.010
.140 Max.
.025 ±.015
(mm)
(4.57 ±.25)
(6.35 ±.25)
(3.56 Max)
(0.64±.38)
500 V
NPO
X7R
183
334
1K V
123
393
2K V
562
153
3K V
222
822
4K V
122
202
5K V
391
821
s47 / 2220
L
W
T
E/B
Inches
.225 ±.015
.200 ±.015
.150 Max.
.025 ±.015
(mm)
(5.72 ±.38)
(5.08 ±.38)
(3.81 Max)
(0.64±.38)
500 V
NPO
X7R
183
334
1K V
153
563
2K V
562
273
3K V
272
103
4K V
152
222
5K V
471
152
s48 / 2225
L
W
T
E/B
Inches
.225 ±.010
.255 ±.015
.160 Max.
.025 ±.015
(mm)
(5.72 ±.25)
(6.48 ±.38)
(4.06 Max)
(0.64±.38)
500 V
NPO
X7R
273
474
1K V
183
683
2K V
822
393
3K V
332
153
4K V
182
562
5K V
681
152
Available capacitance values include the following significant retma values and their multiples:
1.0 1.2 1.5 1.8 2.2 2.7 3.3 3.9 4.7 5.6 6.8 8.2 ( 1.0 = 1.0, 10, 100, 1000, etc.)
H
ow to
o
rder
251
VOLTAGE
501 = 500 V
102 = 1000 V
202 = 2000 V
302 = 3000 V
402 = 4000 V
502 = 5000 V
S48
CASE SIZE
See Chart
W
DIELECTRIC
N = NPO
W = X7R
105
CAPACITANCE
1st two digits are
significant; third digit
denotes number of
zeros.
101 = 100 pF
103 = 0.01 µF
105 = 1.00 µF
106 = 10.0 µF
K
TOLERANCE
= ± 5%
= ± 10%
= ± 20%
= +80% -20%
V
TERMINATION
V = Ni barrier w/
100% Sn Plating
4
PART MODIFIER
E = 7” Reel Taped
H = High Rel Testing
(Customer Specified)
S = Special Part
J
K
M
Z
Part number written: 501H51W474KV4
MARKING
4 = Unmarked
3 = Specified
6 = EIA “J” Code
2
www.johanson dielectrics.com
等待子进程终止
可以通过信号通知父进程,但是很多父进程想知道关于子进程终止的更多信息-------- 比如子进程的返回值。 如果终止时,子进程完全消失了,父进程就无法获取关于子进程的任何信息。所以, UNIX ......
chenbingjy Linux开发
射频基础之共轭匹配
基本概念 信号传输过程中负载阻抗和信源内阻抗之间的特定配合关系。一件器材的输出阻抗和所连接的负载阻抗之间所应满足的某种关系,以免接上负载后对器材本身的工作状态产生明显的影响。对电子 ......
Jacktang 无线连接
AT89S51单片机控制GSM模块(M22)发送短信程序~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
自己改的AT89S51单片机控制GSM模块(M22)发送短信程序,在Keil上已编译没错,但还没试过烧入片内运行。。 大家看看,这个程序可行否? 还有什么错误的地方? 希望搞过GSM的朋友多提点意 ......
fourcute 嵌入式系统
求教关于430中FLASH擦写问题
首先说明一下,我用的芯片是M430F149 我照着http://www.microcontrol.cn/bbs/a/a.asp?B=112&ID=9201&E=1&EID=69&RootID=16594&q=1&r=16594 的方法试着做了一下,当使用的空间小于168字节时一 ......
644012602 嵌入式系统
ADI有没有DXP用元器件库,包括封装和3D模型
ADI有没有DXP用元器件库,包括封装和3D模型?每遇到一个新器件都要自己画,太麻烦了。...
hebin939 ADI 工业技术
嵌入式系统安全问题的示例
本文会介绍一些众所周知的基于硬件的安全漏洞的问题,以及可以采取哪些措施来缓解这些漏洞。 电磁侧通道攻击 几十年来,研究人员已经了解了电磁侧通道攻击。每当机械开关或晶体管改变状态 ......
朗锐智科 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2330  1961  1843  639  2710  17  58  8  32  11 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved