33 A, 60 V, 0.0015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
33 A, 60 V, 0.0015 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | International Rectifier （ Infineon ） |
| 包装说明 | CHIP CARRIER, R-XBCC-N9 |
| 针数 | 9 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 260 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 375 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 33 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0015 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-XBCC-N9 |
| JESD-609代码 | e1 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 9 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 800 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| IRF7749L2TR1PBF | IRF7749L2PBF | |
|---|---|---|
| 描述 | 33 A, 60 V, 0.0015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 33 A, 60 V, 0.0015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 9 | 9 |
| 表面贴装 | YES | Yes |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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