IS63WV1024LL-20TI,IS63WV1024LL-20TI pdf中文资料,IS63WV1024LL-20TI引脚图,IS63WV1024LL-20TI电路-Datasheet-电子工程世界

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IS63WV1024LL-20TI: 产品描述Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, PLASTIC, TSOP2-32; 产品类别存储存储; 文件大小104KB，共16页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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IS63WV1024LL-20TI概述

Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, PLASTIC, TSOP2-32

IS63WV1024LL-20TI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	TSOP2
包装说明	PLASTIC, TSOP2-32
针数	32
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B
最长访问时间	20 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G32
JESD-609代码	e0
长度	20.95 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSOP32,.46
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3/3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.00002 A
最小待机电流	2.5 V
最大压摆率	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm

IS63WV1024LL-20TI相似产品对比

	IS63WV1024LL-20TI	IS63WV1024LL-20BI	IS63WV1024LL-20HI	IS63WV1024LL-20JI
描述	Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, PLASTIC, TSOP2-32	Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PBGA36, 6 X 8 MM, MINI, BGA-36	Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, STSOP1-32	Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	TSOP2	BGA	TSOP1	SOJ
包装说明	PLASTIC, TSOP2-32	6 X 8 MM, MINI, BGA-36	8 X 13.40 MM, PLASTIC, STSOP1-32	0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32
针数	32	36	32	32
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B
最长访问时间	20 ns	20 ns	20 ns	20 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G32	R-PBGA-B36	R-PDSO-G32	R-PDSO-J32
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
长度	20.95 mm	8 mm	11.8 mm	20.955 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8
湿度敏感等级	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1
端子数量	32	36	32	32
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TFBGA	LSSOP	SOJ
封装等效代码	TSOP32,.46	BGA36,6X8,30	TSSOP32,.56,20	SOJ32,.34
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	3/3.3 V	3/3.3 V	3/3.3 V	3/3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.25 mm	3.56 mm
最大待机电流	0.00002 A	0.00002 A	0.00002 A	0.00002 A
最小待机电流	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
最大压摆率	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	BALL	GULL WING	J BEND
端子节距	1.27 mm	0.75 mm	0.5 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	BOTTOM	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm	6 mm	8 mm	7.62 mm

IS63WV1024LL-20TI

IS63WV1024LL-20TI概述

IS63WV1024LL-20TI规格参数

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