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IXFR24N50Q

产品描述Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOPLUS247, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小202KB,共5页
制造商IXYS
标准  
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IXFR24N50Q在线购买

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IXFR24N50Q概述

Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOPLUS247, 3 PIN

IXFR24N50Q规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IXYS
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)1500 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)22 A
最大漏极电流 (ID)22 A
最大漏源导通电阻0.23 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)96 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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