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BT151U-650C

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 650V V(DRM), 650V V(RRM), 1 Element, TO-251, PLASTIC, IPAK-3
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小189KB,共9页
制造商WeEn Semiconductors
标准
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BT151U-650C在线购买

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BT151U-650C概述

Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 650V V(DRM), 650V V(RRM), 1 Element, TO-251, PLASTIC, IPAK-3

BT151U-650C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称WeEn Semiconductors
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Codenot_compliant
外壳连接ANODE
配置SINGLE
最大直流栅极触发电流15 mA
JEDEC-95代码TO-251
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度125 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大均方根通态电流12 A
参考标准IEC-60134
断态重复峰值电压650 V
重复峰值反向电压650 V
表面贴装NO
端子面层Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
触发设备类型SCR

BT151U-650C相似产品对比

BT151U-650C BT151U-800C,127 BT151U-500C
描述 Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 650V V(DRM), 650V V(RRM), 1 Element, TO-251, PLASTIC, IPAK-3 THYRISTOR 800V 12A SOT533 Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 500V V(DRM), 500V V(RRM), 1 Element, TO-251, PLASTIC, IPAK-3
是否Rohs认证 符合 符合 符合
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant
外壳连接 ANODE ANODE ANODE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最大直流栅极触发电流 15 mA 15 mA 15 mA
JEDEC-95代码 TO-251 TO-251 TO-251
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3
JESD-609代码 e3 e3 e3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
最大均方根通态电流 12 A 12 A 12 A
参考标准 IEC-60134 IEC-60134 IEC-60134
断态重复峰值电压 650 V 800 V 500 V
重复峰值反向电压 650 V 800 V 500 V
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
触发设备类型 SCR SCR SCR
厂商名称 WeEn Semiconductors - WeEn Semiconductors
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
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