Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 650V V(DRM), 650V V(RRM), 1 Element, TO-251, PLASTIC, IPAK-3
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | WeEn Semiconductors |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
外壳连接 | ANODE |
配置 | SINGLE |
最大直流栅极触发电流 | 15 mA |
JEDEC-95代码 | TO-251 |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码 | e3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 125 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified |
最大均方根通态电流 | 12 A |
参考标准 | IEC-60134 |
断态重复峰值电压 | 650 V |
重复峰值反向电压 | 650 V |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
触发设备类型 | SCR |
BT151U-650C | BT151U-800C,127 | BT151U-500C | |
---|---|---|---|
描述 | Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 650V V(DRM), 650V V(RRM), 1 Element, TO-251, PLASTIC, IPAK-3 | THYRISTOR 800V 12A SOT533 | Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 500V V(DRM), 500V V(RRM), 1 Element, TO-251, PLASTIC, IPAK-3 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
外壳连接 | ANODE | ANODE | ANODE |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
最大直流栅极触发电流 | 15 mA | 15 mA | 15 mA |
JEDEC-95代码 | TO-251 | TO-251 | TO-251 |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | R-PSIP-T3 | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
最大均方根通态电流 | 12 A | 12 A | 12 A |
参考标准 | IEC-60134 | IEC-60134 | IEC-60134 |
断态重复峰值电压 | 650 V | 800 V | 500 V |
重复峰值反向电压 | 650 V | 800 V | 500 V |
表面贴装 | NO | NO | NO |
端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
触发设备类型 | SCR | SCR | SCR |
厂商名称 | WeEn Semiconductors | - | WeEn Semiconductors |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved