20 A, 600 V, 0.19 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263
20 A, 600 V, 0.19 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-263
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 2 |
最小击穿电压 | 600 V |
加工封装描述 | LEAD FREE, D2PAK-3 |
无铅 | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes |
状态 | ACTIVE |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | SMALL OUTLINE |
表面贴装 | Yes |
端子形式 | GULL WING |
端子涂层 | MATTE TIN |
端子位置 | SINGLE |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
结构 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
壳体连接 | DRAIN |
元件数量 | 1 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
通道类型 | N-CHANNEL |
场效应晶体管技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | GENERAL PURPOSE POWER |
最大漏电流 | 20 A |
额定雪崩能量 | 690 mJ |
最大漏极导通电阻 | 0.1900 ohm |
最大漏电流脉冲 | 60 A |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved