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SF34-13

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小305KB,共3页
制造商Diodes Incorporated
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SF34-13概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD,

SF34-13规格参数

参数名称属性值
厂商名称Diodes Incorporated
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH SURGE CAPABILITY
应用SUPER FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流110 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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SF31 - SF34
3.0A SUPER-FAST RECOVERY RECTIFIER
Features
·
·
·
·
·
·
Low Leakage
Low Forward Voltage Drop
High Current Capability
Super-fast Switching Speed < 35ns
Plastic Material - UL Recognition 94V-0
Good for 200KHz Power Supply
DISCONTINUED
A
B
A
C
D
Mechanical Data
·
·
·
·
Case: DO-201AD, Molded Plastic
Terminals: Plated Axial Leads, Solderable per
MIL-STD-202, Method 208
Polarity: Color Band Denotes Cathode
Approx. Weight: 1.2 grams
DO-201AD
Dim
A
B
C
D
Min
25.4
7.2
1.2
4.8
All Dimensions in mm
Max
9.5
1.3
5.3
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, halfwave, 60Hz, resistive or inductive load.
Characteristic
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
9.5mm Lead Length
@ T
A
=55°C
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage
@ 3.0A DC
Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage
Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage
@ T
A
= 150°C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
I
R
T
rr
C
J
T
J
, T
STG
SF31
50
35
50
SF32
100
70
100
3.0
110
0.975
10
50
35
155
SF33
150
105
150
SF34
200
140
200
Units
V
V
V
A
A
V
mA
mA
ns
pF
°C
-65 to + 175
Notes:
1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5 A, I
R
=1.0 A, I
RR
=0.25A
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V.
DS24003 Rev. 4 - 4
1 of 3
www.diodes.com
SF31-SF34
ã
Diodes Incorporated

SF34-13相似产品对比

SF34-13 SF32-T SF33-13 SF31-13 SF32-13
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-201AD, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 150V V(RRM), Silicon, DO-201AD, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, DO-201AD, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
厂商名称 Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Reach Compliance Code unknown not_compliant unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH SURGE CAPABILITY HIGH SURGE CAPABILITY HIGH SURGE CAPABILITY HIGH SURGE CAPABILITY HIGH SURGE CAPABILITY
应用 SUPER FAST RECOVERY SUPER FAST RECOVERY SUPER FAST RECOVERY SUPER FAST RECOVERY SUPER FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 DO-201AD DO-201AD DO-201AD DO-201AD DO-201AD
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 110 A 110 A 110 A 110 A 110 A
元件数量 1 1 1 1 1
相数 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2
最大输出电流 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 200 V 100 V 150 V 50 V 100 V
最大反向恢复时间 0.035 µs 0.035 µs 0.035 µs 0.035 µs 0.035 µs
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
包装说明 O-PALF-W2 - - O-PALF-W2 O-PALF-W2
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