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IDT7MPV6217S50M

产品描述Cache Tag SRAM Module, 64KX64, 25ns, CMOS
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文件大小362KB,共9页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7MPV6217S50M概述

Cache Tag SRAM Module, 64KX64, 25ns, CMOS

IDT7MPV6217S50M规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
包装说明,
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间25 ns
其他特性ALSO OPERATES IN 5 VOLTS
JESD-30 代码R-XDMA-N160
JESD-609代码e0
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型CACHE TAG SRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端子数量160
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX64
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30

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