Cache Tag SRAM Module, 64KX64, 25ns, CMOS
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 25 ns |
其他特性 | ALSO OPERATES IN 5 VOLTS |
JESD-30 代码 | R-XDMA-N160 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | CACHE TAG SRAM MODULE |
内存宽度 | 64 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 160 |
字数 | 65536 words |
字数代码 | 64000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 64KX64 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
认证状态 | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
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