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HY57V643220CTP-5

产品描述Synchronous DRAM, 2MX32, 4.5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 X 0.875 INCH, 0.5 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-86
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文件大小561KB,共12页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
标准
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HY57V643220CTP-5概述

Synchronous DRAM, 2MX32, 4.5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 X 0.875 INCH, 0.5 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-86

HY57V643220CTP-5规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSSOP86,.46,20
针数86
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间4.5 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)200 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G86
JESD-609代码e6
长度22.22 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量86
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSSOP86,.46,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.002 A
最大压摆率0.28 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度10.16 mm

 
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