HY5DU283222AFP-36,HY5DU283222AFP-36 pdf中文资料,HY5DU283222AFP-36引脚图,HY5DU283222AFP-36电路-Datasheet-电子工程世界

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HY5DU283222AFP-36: 产品描述DDR DRAM, 4MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-144; 产品类别存储存储; 文件大小244KB，共31页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/; 标准

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HY5DU283222AFP-36概述

DDR DRAM, 4MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-144

HY5DU283222AFP-36规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA144,12X12,32
针数	144
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	275 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	2,4,8
JESD-30 代码	S-PBGA-B144
JESD-609代码	e1
长度	12 mm
内存密度	134217728 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	32
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	144
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA144,12X12,32
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	2,4,8
最大待机电流	0.025 A
最大压摆率	0.6 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)	2.2 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	12 mm

HY5DU283222AFP-36相似产品对比

	HY5DU283222AFP-36	HY5DU283222AFP-5	HY5DU283222AFP-33	HY5DU283222AFP-4
描述	DDR DRAM, 4MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-144	DDR DRAM, 4MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-144	DDR DRAM, 4MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-144	DDR DRAM, 4MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-144
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	TFBGA, BGA144,12X12,32	TFBGA, BGA144,12X12,32	TFBGA, BGA144,12X12,32	TFBGA, BGA144,12X12,32
针数	144	144	144	144
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.6 ns	0.6 ns	0.6 ns	0.6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	275 MHz	200 MHz	300 MHz	250 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8
JESD-30 代码	S-PBGA-B144	S-PBGA-B144	S-PBGA-B144	S-PBGA-B144
JESD-609代码	e1	e1	e1	e1
长度	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm
内存密度	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	32	32	32	32
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	144	144	144	144
字数	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000	4000000	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	4MX32	4MX32	4MX32	4MX32
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装等效代码	BGA144,12X12,32	BGA144,12X12,32	BGA144,12X12,32	BGA144,12X12,32
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260
电源	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES
连续突发长度	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8
最大待机电流	0.025 A	0.025 A	0.025 A	0.025 A
最大压摆率	0.6 mA	0.6 mA	0.7 mA	0.6 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)	2.2 V	2.2 V	2.2 V	2.2 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	20
宽度	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm
厂商名称	SK Hynix(海力士)	-	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)

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