HS9-54C138RH-Q
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
零件包装代码 | DFP |
包装说明 | DFP, FL16,.3 |
针数 | 16 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
系列 | CMOS |
输入调节 | STANDARD |
JESD-30 代码 | R-CDFP-F16 |
JESD-609代码 | e0 |
负载电容(CL) | 100 pF |
逻辑集成电路类型 | OTHER DECODER/DRIVER |
最大I(ol) | 0.002 A |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 16 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
输出极性 | INVERTED |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | DFP |
封装等效代码 | FL16,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
Prop。Delay @ Nom-Sup | 110 ns |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V |
座面最大高度 | 2.92 mm |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | FLAT |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
总剂量 | 100k Rad(Si) V |
宽度 | 6.73 mm |
HS9-54C138RH-Q | HS1-54C138RH-Q | HS9-54C138RH-8 | HS1-54C138RH-8 | |
---|---|---|---|---|
描述 | HS9-54C138RH-Q | HS1-54C138RH-Q | CMOS SERIES, OTHER DECODER/DRIVER, INVERTED OUTPUT, CDFP16, CERAMIC, DFP-16 | CMOS SERIES, OTHER DECODER/DRIVER, INVERTED OUTPUT, CDIP16, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
零件包装代码 | DFP | DIP | DFP | DIP |
包装说明 | DFP, FL16,.3 | SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16 | DFP, FL16,.3 | DIP, DIP16,.3 |
针数 | 16 | 16 | 16 | 16 |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
系列 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
输入调节 | STANDARD | STANDARD | STANDARD | STANDARD |
JESD-30 代码 | R-CDFP-F16 | R-CDIP-T16 | R-CDFP-F16 | R-CDIP-T16 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
负载电容(CL) | 100 pF | 100 pF | 100 pF | 100 pF |
逻辑集成电路类型 | OTHER DECODER/DRIVER | OTHER DECODER/DRIVER | OTHER DECODER/DRIVER | OTHER DECODER/DRIVER |
最大I(ol) | 0.002 A | 0.002 A | 0.002 A | 0.002 A |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 16 | 16 | 16 | 16 |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
输出极性 | INVERTED | INVERTED | INVERTED | INVERTED |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | DFP | DIP | DFP | DIP |
封装等效代码 | FL16,.3 | DIP16,.3 | FL16,.3 | DIP16,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK | IN-LINE | FLATPACK | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
Prop。Delay @ Nom-Sup | 110 ns | 110 ns | 110 ns | 110 ns |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V | MIL-PRF-38535 Class V | MIL-PRF-38535 Class Q | MIL-PRF-38535 Class Q |
座面最大高度 | 2.92 mm | 5.08 mm | 2.92 mm | 5.08 mm |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | NO | YES | NO |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | FLAT | THROUGH-HOLE | FLAT | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
总剂量 | 100k Rad(Si) V | 100k Rad(Si) V | 100k Rad(Si) V | 100k Rad(Si) V |
宽度 | 6.73 mm | 7.62 mm | 6.73 mm | 7.62 mm |
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